Polysilicon là một vật liệu mục tiêu phún xạ quan trọng. Sử dụng phương pháp phún xạ magnetron để điều chế SiO2 và các màng mỏng khác có thể làm cho vật liệu ma trận có khả năng chống quang, điện môi và ăn mòn tốt hơn, được sử dụng rộng rãi trong màn hình cảm ứng, quang học và các ngành công nghiệp khác.
Quá trình đúc tinh thể dài là thực hiện quá trình hóa rắn định hướng của silicon lỏng từ dưới lên trên bằng cách kiểm soát chính xác nhiệt độ của lò sưởi trong trường nóng của lò phôi và tản nhiệt của vật liệu cách nhiệt, và Tốc độ tinh thể hóa rắn dài là 0,8 ~ 1,2cm / h. Đồng thời, trong quá trình hóa rắn định hướng, có thể nhận ra hiệu ứng phân tách của các nguyên tố kim loại trong vật liệu silicon, hầu hết các nguyên tố kim loại có thể được tinh chế và có thể hình thành cấu trúc hạt silicon đa tinh thể đồng nhất.
Quá trình đúc polysilicon cũng cần được pha tạp có chủ ý trong quá trình sản xuất, để thay đổi nồng độ tạp chất chấp nhận trong silicon nóng chảy. Chất pha tạp chính của polysilicon đúc loại p trong công nghiệp là hợp kim boron silicon, trong đó hàm lượng boron khoảng 0,025%. Lượng pha tạp được xác định bởi điện trở suất mục tiêu của tấm bán dẫn silicon. Điện trở suất tối ưu là 0,02 ~ 0,05 Ω • cm và nồng độ boron tương ứng là khoảng 2 × 1014cm-3。 Tuy nhiên, hệ số phân tách boron trong silicon là 0,8, điều này sẽ cho thấy hiệu ứng phân tách nhất định trong quá trình hóa rắn định hướng, đó là nghĩa là nguyên tố boron được phân bố theo gradient theo phương thẳng đứng của phôi và điện trở suất giảm dần từ dưới lên trên của phôi. phôi.
Thời gian đăng: 26-07-2022