Như chúng ta đã biết, các phương pháp thường được sử dụng trong phủ chân không là thoát hơi chân không và phún xạ ion. Sự khác biệt giữa lớp phủ thoát hơi nước và lớp phủ phún xạ Nhiềumọi người có những câu hỏi như vậy. Hãy cùng chia sẻ với các bạn sự khác biệt giữa lớp phủ thoát hơi nước và lớp phủ phún xạ
Màng thoát hơi chân không dùng để làm nóng dữ liệu thoát hơi đến nhiệt độ cố định bằng phương pháp gia nhiệt điện trở hoặc chùm tia điện tử và bắn tia laser trong môi trường có độ chân không không dưới 10-2Pa, sao cho năng lượng dao động nhiệt của các phân tử hoặc các nguyên tử trong dữ liệu vượt quá năng lượng liên kết của bề mặt, do đó nhiều phân tử hoặc nguyên tử thoát hơi nước hoặc tăng lên và lắng đọng chúng trực tiếp trên chất nền để tạo thành màng. Lớp phủ phún xạ ion sử dụng chuyển động cộng hưởng cao của các ion dương sinh ra do phóng điện khí dưới tác dụng của điện trường để bắn phá mục tiêu làm cực âm, làm cho các nguyên tử hoặc phân tử trong mục tiêu thoát ra ngoài và lắng đọng trên bề mặt phôi mạ tạo thành phim cần thiết.
Phương pháp phủ thoát hơi chân không được sử dụng phổ biến nhất là phương pháp gia nhiệt bằng điện trở. Ưu điểm của nó là cấu trúc nguồn nhiệt đơn giản, chi phí thấp và vận hành thuận tiện. Nhược điểm của nó là không phù hợp với kim loại chịu lửa và vật liệu chịu nhiệt độ cao. Gia nhiệt bằng chùm tia điện tử và gia nhiệt bằng laser có thể khắc phục được nhược điểm của gia nhiệt bằng điện trở. Trong quá trình gia nhiệt bằng chùm tia điện tử, chùm tia điện tử tập trung được sử dụng để làm nóng trực tiếp dữ liệu được phân lớp và động năng của chùm tia điện tử trở thành nhiệt năng để làm cho dữ liệu thoát hơi nước. Hệ thống sưởi bằng laser sử dụng laser công suất cao làm nguồn sưởi ấm, nhưng do giá thành của laser công suất cao nên nó chỉ có thể được sử dụng trong một số ít phòng thí nghiệm nghiên cứu.
Kỹ năng phún xạ khác với kỹ năng thoát hơi chân không. Sự phún xạ đề cập đến hiện tượng các hạt tích điện bắn phá trở lại bề mặt (mục tiêu) của cơ thể, khiến các nguyên tử hoặc phân tử rắn thoát ra khỏi bề mặt. Hầu hết các hạt phát ra là nguyên tử, thường được gọi là nguyên tử phún xạ. Các hạt phún xạ dùng để bắn phá mục tiêu có thể là electron, ion hoặc hạt trung tính. Do các ion dễ dàng thu được động năng cần thiết dưới tác dụng của điện trường nên các ion chủ yếu được chọn làm hạt phân lớp.
Quá trình phún xạ dựa trên sự phóng điện phát sáng, nghĩa là các ion phún xạ đến từ quá trình phóng điện khí. Kỹ năng phún xạ khác nhau có phương pháp phóng điện phát sáng khác nhau. Phương pháp phún xạ diode DC sử dụng phóng điện phát sáng DC; Phún xạ triode là sự phóng điện phát sáng được hỗ trợ bởi cực âm nóng; Phương pháp phún xạ RF sử dụng phóng điện phát sáng RF; Phún xạ Magnetron là sự phóng điện phát sáng được điều khiển bởi từ trường hình khuyên.
So với lớp phủ thoát hơi chân không, lớp phủ phún xạ có nhiều ưu điểm. Nếu chất nào có thể phún xạ được, đặc biệt là các nguyên tố, hợp chất có nhiệt độ nóng chảy cao và áp suất hơi thấp; Độ bám dính giữa màng phún xạ và nền tốt; Mật độ màng cao; Độ dày màng có thể được kiểm soát và độ lặp lại tốt. Nhược điểm là thiết bị phức tạp và cần có thiết bị điện áp cao.
Ngoài ra, sự kết hợp giữa phương pháp thoát hơi nước và phương pháp phún xạ là mạ ion. Ưu điểm của phương pháp này là độ bám dính mạnh giữa màng và nền, tốc độ lắng cao và mật độ màng cao.
Thời gian đăng: May-09-2022