Maqsad ko'p ta'sirga ega va bozorni rivojlantirish maydoni katta. Bu ko'plab sohalarda juda foydali. Deyarli barcha yangi püskürtme uskunalari maqsad atrofida argonning ionlanishini tezlashtirish uchun elektronlarni spiral qilish uchun kuchli magnitlardan foydalanadi, natijada maqsad va argon ionlari o'rtasidagi to'qnashuv ehtimoli ortadi. Keling, vakuumli qoplamada purkash maqsadining rolini ko'rib chiqaylik.
Cho'kish tezligini yaxshilang. Odatda, to'g'ridan-to'g'ri purkash metallni qoplash uchun ishlatiladi, RF AC püskürtme esa o'tkazuvchan bo'lmagan keramik magnit materiallar uchun ishlatiladi. Asosiy printsip - vakuumda nishon yuzasiga argon (AR) ionlarini urish uchun porlashdan foydalanish va plazmadagi kationlar chayqaladigan material sifatida salbiy elektrod yuzasiga shoshilish uchun tezlashadi. Bu ta'sir nishon materialining uchib ketishiga va plyonka hosil qilish uchun substratga yotqizilishiga olib keladi.
Umuman olganda, püskürtme jarayoni bilan kino qoplamasining bir nechta xususiyatlari mavjud: (1) metall, qotishma yoki izolyator plyonka ma'lumotlariga aylantirilishi mumkin.
(2) Tegishli sozlash sharoitida, bir xil tarkibga ega bo'lgan film bir nechta va tartibsiz maqsadlardan tayyorlanishi mumkin.
(3) Maqsadli material va gaz molekulalarining aralashmasi yoki birikmasi tushirish atmosferasiga kislorod yoki boshqa faol gazlarni qo'shish orqali ishlab chiqarilishi mumkin.
(4) Maqsadli kirish oqimi va püskürtme vaqtini nazorat qilish mumkin va yuqori aniqlikdagi plyonka qalinligini olish oson.
(5) Boshqa jarayonlar bilan solishtirganda, u katta maydonli bir xil plyonkalarni ishlab chiqarishga yordam beradi.
(6) O'tkir zarrachalar tortishish kuchidan deyarli ta'sirlanmaydi va maqsad va substrat pozitsiyalari erkin joylashtirilishi mumkin.
Xabar vaqti: 2022 yil 17-may