Магнитрон чәчү каплавы - яңа физик парны каплау ысулы, элеккеге парлану ысулы белән чагыштырганда, аның күп якларында өстенлекләре искиткеч. Matureитлеккән технология буларак, магнитрон чәчү күп өлкәләрдә кулланылды.
Магнитрон чәчү принцибы:
Чәчелгән максат баганасы (катод) белән анод арасында ортогональ магнит кыры һәм электр кыры өстәлә, һәм кирәкле инерт газы (гадәттә Ар газы) югары вакуум камерасында тутырыла. Даими магнит максатлы материал өслегендә 250-350 гаус магнит кырын формалаштыра, һәм ортогональ электромагнит кыры югары көчәнешле электр кыры белән тора. Электр кыры тәэсирендә, Ар газын ионлаштыру уңай ионнарга һәм электроннарга, максатка һәм билгеле тискәре басымга ия, магнит кыры тәэсиреннән баганадан һәм эшче газ ионлаштыру ихтималы арту, югары тыгызлыктагы плазманы барлыкка китерә. катод, Ар ион лоренц көче астында, максат өслегенә тизләнергә, тизлек белән максат өслеген бомбага тотарга, максаттагы чәчелгән атомнар момент конверсия принцибына буйсыналар һәм югары кинетик максатчан өслектән очып китәләр. субстрат чүпләү пленкасына энергия.
Магнитрон спуттеринг гадәттә ике төргә бүленә: DC спуттеринг һәм RF спуттеринг. Тоткыч җайланмалар принцибы гади, һәм металл чәчкәндә тизлек тиз. RFткәргеч материалларны чабу белән беррәттән, үткәргеч булмаган материалларны чабу белән беррәттән, оксидлар, нитридлар һәм карбидлар һәм башка катнаш материаллар реактив спуттерлар әзерләү тагын да киңрәк. Әгәр дә RF ешлыгы артса, ул микродулкынлы плазманы таркатуга әйләнә. Хәзерге вакытта электрон циклотрон резонансы (ECR) тибындагы микродулкынлы плазма спуттеры гадәттә кулланыла.
Магнитрон чәчкеч каплау максаты материал:
Металл чәчү максатлы материал, каплау эретмәсе эретелгән каплау материалы, керамик бөтерелү каплау материалы, борид керамик бөтерелү максатлы материаллар, карбид керамик бөтерелү максат материалы, фторид керамик спуттер максат материалы, нитрид керамик бөтерелү максат материаллары, оксид керамик мишень, селенид керамик спуттер максатлы материал, силицид керамик бөтерелү максатлы материаллар, сульфид керамик бөтерелү максатчан материал, Теллурид керамик бөтерелү максаты, башка керамик максат, хром-доплы кремний оксиды керамик максаты (CR-SiO), индий фосфид максаты (InP), кургашлы арсенид максаты (PbAs), индий арсенид максаты (InAs).
Пост вакыты: Август-03-2022