Birçok kullanıcı püskürtme hedefi ürününü duymuş olmalıdır, ancak püskürtme hedefi ilkesi nispeten yabancı olmalıdır. Artık editörümZengin Özel Malzeme(RSM) Püskürtme hedefinin magnetron püskürtme ilkelerini paylaşıyor.
Püskürtülmüş hedef elektrot (katot) ile anot arasına dik bir manyetik alan ve elektrik alanı eklenir, gerekli inert gaz (genellikle Ar gazı) yüksek vakum odasına doldurulur, kalıcı mıknatıs 250 ~ 350 Gauss'luk bir manyetik alan oluşturur. Hedef verinin yüzeyi ve yüksek gerilim elektrik alanı ile ortogonal elektromanyetik alan oluşturulur.
Elektrik alanının etkisi altında Ar gazı pozitif iyonlara ve elektronlara iyonize olur. Hedefe belirli bir negatif yüksek voltaj eklenir. Manyetik alanın hedef kutuptan yayılan elektronlar üzerindeki etkisi ve çalışma gazının iyonlaşma olasılığı artarak katot yakınında yüksek yoğunluklu bir plazma oluşur. Lorentz kuvvetinin etkisi altında Ar iyonları hedef yüzeye doğru hızlanarak hedef yüzeyi çok yüksek bir hızla bombardıman eder. Hedef üzerine püskürtülen atomlar momentum dönüşüm prensibini takip ederek hedef yüzeyden alt tabakaya yüksek kinetik enerjiyle uçarlar. Filmleri yatırmak için.
Magnetron püskürtme genel olarak iki türe ayrılır: Bağlı püskürtme ve RF püskürtme. Bağlı püskürtme ekipmanının prensibi basittir ve metal püskürtme sırasında hızı da hızlıdır. RF püskürtme yaygın olarak kullanılmaktadır. İletken malzemeleri püskürtmenin yanı sıra iletken olmayan malzemeleri de püskürtebilir. Aynı zamanda oksitler, nitrürler, karbürler ve diğer bileşiklerden oluşan malzemeleri hazırlamak için reaktif püskürtme de gerçekleştirir. RF frekansı arttırılırsa, mikrodalga plazma püskürtmeye dönüşecektir. Artık elektron siklotron rezonansı (ECR) mikrodalga plazma püskürtme yaygın olarak kullanılmaktadır.
Gönderim zamanı: Mayıs-31-2022