Ngayon parami nang parami ang mga user na nauunawaan ang mga uri ng mga target atmga aplikasyon nito, ngunit ang subdibisyon nito ay maaaring hindi masyadong malinaw. Ngayon tayoengineer ng RSM ibahagi sa iyoilang induction ng magnetron sputtering target.
Target ng sputtering: target na patong na patong ng metal, target ng patong na patong ng haluang metal, target ng patong na patong ng ceramic, target ng patong na patong ng ceramic, target ng pag-sputter ng ceramic ng carbide, target ng pag-sputter ng fluoride na ceramic, target ng pag-sputtering ng nitride, ceramic na target ng selenide, ceramic sputtering target, pagpuntirya ng selenide ceramic sputtering target, sulfide ceramic sputtering target, telluride ceramic sputtering target, iba pang ceramic target, Chromium doped silicon oxide ceramic target (CR SiO), indium phosphide target (INP), lead arsenide target (pbas), indium arsenide target (InAs).
Ang magnetron sputtering ay karaniwang nahahati sa dalawang uri: DC sputtering at RF sputtering. Ang prinsipyo ng DC sputtering equipment ay simple, at ang rate nito ay mabilis din kapag nag-sputtering ng metal. Ang RF sputtering ay malawakang ginagamit. Bilang karagdagan sa pag-sputter ng conductive data, maaari din itong mag-sputter ng non-conductive na data. Ang sputtering target ay maaari ding gamitin para sa reactive sputtering upang maghanda ng compound data tulad ng mga oxide, nitride at carbide. Kung tataas ang RF frequency, ito ay magiging microwave plasma sputtering. Sa kasalukuyan, ang electron cyclotron resonance (ECR) microwave plasma sputtering ay karaniwang ginagamit.
Oras ng post: Mayo-26-2022