เอฟเฟกต์แสงไฟฟ้าขนาดยักษ์ใน Ge/SiGe ควบคู่กับหลุมควอนตัม

ปัจจุบันโฟโตนิกส์ที่ใช้ซิลิคอนถือเป็นแพลตฟอร์มโฟโตนิกส์รุ่นต่อไปสำหรับการสื่อสารแบบฝังตัว อย่างไรก็ตาม การพัฒนาโมดูเลเตอร์แบบออปติคอลขนาดกะทัดรัดและพลังงานต่ำยังคงเป็นความท้าทาย ที่นี่เรารายงานผลกระทบทางไฟฟ้าแสงขนาดยักษ์ใน Ge / SiGe ควบคู่กับหลุมควอนตัม ผลที่น่าหวังนี้ขึ้นอยู่กับผลของควอนตัมสตาร์คที่ผิดปกติเนื่องจากการจำกัดอิเล็กตรอนและรูแยกกันในหลุมควอนตัม Ge/SiGe ที่ควบคู่กัน ปรากฏการณ์นี้สามารถใช้เพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพของตัวปรับแสงได้อย่างมีนัยสำคัญเมื่อเปรียบเทียบกับวิธีการมาตรฐานที่พัฒนาขึ้นในซิลิคอนโฟโตนิกส์ เราได้วัดการเปลี่ยนแปลงของดัชนีการหักเหของแสงสูงถึง 2.3 × 10-3 ที่แรงดันไบแอส 1.5 V พร้อมประสิทธิภาพการปรับที่สอดคล้องกัน VπLπ 0.046 Vcm การสาธิตนี้ปูทางไปสู่การพัฒนาเฟสโมดูเลเตอร์ความเร็วสูงที่มีประสิทธิภาพโดยอิงจากระบบวัสดุ Ge/SiGe