ลักษณะของเป้าหมายสปัตเตอร์อะลูมิเนียมที่มีความบริสุทธิ์สูงเป็นพิเศษ

ในช่วงไม่กี่ปีที่ผ่านมา ด้วยความก้าวหน้าของเทคโนโลยีวงจรรวม (IC) การใช้งานที่เกี่ยวข้องของวงจรรวมได้รับการพัฒนาอย่างรวดเร็ว เป้าหมายการสปัตเตอร์โลหะผสมอลูมิเนียมที่มีความบริสุทธิ์สูงเป็นพิเศษ ซึ่งเป็นวัสดุสนับสนุนในการผลิตการเชื่อมต่อระหว่างโลหะวงจรรวม ได้กลายเป็นประเด็นร้อนในการวิจัยในประเทศล่าสุด บรรณาธิการของ RSM จะแสดงให้เราเห็นลักษณะของเป้าหมายการสปัตเตอร์โลหะผสมอลูมิเนียมที่มีความบริสุทธิ์สูง

เพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพการสปัตเตอร์ของเป้าหมายการสปัตเตอร์แมกนีตรอนและรับประกันคุณภาพของฟิล์มที่สะสม การทดลองจำนวนมากแสดงให้เห็นว่ามีข้อกำหนดบางประการสำหรับองค์ประกอบ โครงสร้างจุลภาค และการวางแนวเกรนของเป้าหมายการสปัตเตอร์โลหะผสมอลูมิเนียมที่มีความบริสุทธิ์สูงเป็นพิเศษ

ขนาดเกรนและการวางแนวเกรนของชิ้นงานมีอิทธิพลอย่างมากต่อการเตรียมและคุณสมบัติของฟิล์ม IC ผลการวิจัยพบว่าอัตราการสะสมลดลงตามขนาดเกรนที่เพิ่มขึ้น สำหรับเป้าหมายสปัตเตอร์ที่มีองค์ประกอบเดียวกัน อัตราการสปัตเตอร์ของเป้าหมายที่มีขนาดเกรนเล็กจะเร็วกว่าเป้าหมายที่มีขนาดเกรนใหญ่ ยิ่งขนาดเกรนของชิ้นงานมีความสม่ำเสมอมากเท่าใด การกระจายความหนาของฟิล์มที่สะสมก็จะยิ่งสม่ำเสมอมากขึ้นเท่านั้น

ภายใต้เครื่องมือสปัตเตอร์และพารามิเตอร์กระบวนการเดียวกัน อัตราการสปัตเตอร์ของเป้าหมายโลหะผสม Al Cu จะเพิ่มขึ้นตามความหนาแน่นของอะตอมที่เพิ่มขึ้น แต่โดยทั่วไปจะมีเสถียรภาพในช่วงหนึ่ง ผลกระทบของขนาดเกรนต่ออัตราการสปัตเตอร์เกิดจากการเปลี่ยนแปลงความหนาแน่นของอะตอมพร้อมกับการเปลี่ยนแปลงขนาดเกรน อัตราการสะสมส่วนใหญ่ได้รับผลกระทบจากการวางแนวเกรนของเป้าหมายอัลลอยด์ Al Cu บนพื้นฐานของความมั่นใจในสัดส่วนของระนาบคริสตัล (200) การเพิ่มสัดส่วนของระนาบคริสตัล (111), (220) และ (311) จะเพิ่มอัตราการสะสม

ขนาดเกรนและการวางแนวเกรนของเป้าหมายโลหะผสมอลูมิเนียมที่มีความบริสุทธิ์สูงพิเศษส่วนใหญ่จะมีการปรับและควบคุมโดยการทำให้แท่งโลหะเป็นเนื้อเดียวกัน การทำงานที่ร้อน และการหลอมด้วยการตกผลึกใหม่ ด้วยการพัฒนาขนาดเวเฟอร์เป็น 20.32 ซม. (8 นิ้ว) และ 30.48 ซม. (12 นิ้ว) ขนาดเป้าหมายก็เพิ่มขึ้นเช่นกัน ซึ่งทำให้มีข้อกำหนดที่สูงขึ้นสำหรับเป้าหมายสปัตเตอร์โลหะผสมอะลูมิเนียมที่มีความบริสุทธิ์สูงเป็นพิเศษ เพื่อให้มั่นใจในคุณภาพและผลผลิตของฟิล์ม พารามิเตอร์การประมวลผลเป้าหมายจะต้องได้รับการควบคุมอย่างเข้มงวดเพื่อทำให้โครงสร้างจุลภาคเป้าหมายมีความสม่ำเสมอ และการวางแนวเกรนต้องมีพื้นผิวระนาบที่แข็งแกร่ง (200) และ (220)