CrAlSi Alloy Sputtering Target การเคลือบ Pvd ฟิล์มบางที่มีความบริสุทธิ์สูงทำเอง

การประดิษฐ์เป้าหมายสปัตเตอร์ริ่งอะลูมิเนียมอะลูมิเนียมโครเมียมประกอบด้วยขั้นตอนต่อไปนี้:
1.การหลอมซิลิคอน อลูมิเนียม และโครเมียมด้วยสุญญากาศเพื่อให้ได้สเต็ปอัลลอยด์
2. การบดและการผสมผง
3. การกดแบบไอโซสแตติกแบบร้อนเพื่อให้ได้เป้าหมายการสปัตเตอร์โลหะผสมโครเมียมอลูมิเนียมซิลิกอน
เป้าหมายสปัตเตอร์ซิลิคอนโครเมียมอะลูมิเนียมถูกนำมาใช้อย่างกว้างขวางในเครื่องมือตัดและแม่พิมพ์ เนื่องจากมีความทนทานต่อการสึกหรอและทนต่อการเกิดออกซิเดชันที่อุณหภูมิสูงเพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพของฟิล์ม
เฟส Si3N4 ที่ไม่มีรูปร่างจะถูกสร้างขึ้นในระหว่างกระบวนการ PVD ของเป้าหมาย CrAlSi เนื่องจากการรวมตัวกันของเฟส Si3N4 ที่ไม่มีรูปร่าง การเติบโตของขนาดเกรนจึงสามารถยับยั้งได้ และปรับปรุงคุณสมบัติต้านทานการเกิดออกซิเดชันที่อุณหภูมิสูงได้