Кабати пошидани магнетрон як усули нави пӯшонидани буғи физикӣ мебошад, дар муқоиса бо усули пештараи бухоршавӣ, бартариҳои он дар бисёр ҷиҳатҳо хеле назаррасанд. Ҳамчун технологияи баркамол, пошидани магнетронӣ дар бисёр соҳаҳо татбиқ карда шудааст.
Принсипи пошидани магнитрон:
Дар байни қутби ҳадафи пошида (катод) ва анод майдони магнитии ортогоналӣ ва майдони электрикӣ илова карда мешавад ва дар камераи баланди вакууми гази инертии зарурӣ (одатан Ar гази) пур карда мешавад. Магнити доимӣ дар сатҳи маводи мавриди ҳадаф майдони магнитии 250-350 гаусро ташкил медиҳад ва майдони электромагнитии ортогоналӣ аз майдони электрикии баландшиддат иборат аст. Дар зери таъсири майдони барқ, ионизатсияи гази Ar ба ионҳои мусбат ва электронҳо, ҳадаф дорад ва фишори манфии муайян дорад, аз ҳадаф аз қутб бо таъсири майдони магнитӣ ва эҳтимолияти ионизатсияи гази корӣ, дар наздикии он плазмаи зичии баландро ташкил медиҳад. катод, Ar ион дар зери таъсири қувваи лоренц, суръати парвоз ба сатҳи ҳадаф, бомбаборони сатҳи ҳадаф бо суръати баланд, Атомҳои пошида дар ҳадаф принсипи табдили импулс ва аз сатҳи ҳадаф бо энергияи кинетикии баланд ба плёнкаи таҳшиншавии субстрат парвоз мекунад.
Парокандашавии магнитрон одатан ба ду намуд тақсим мешавад: пошидани доимии доимӣ ва пошидани RF. Принсипи таҷҳизоти пошидани доимӣ оддӣ аст ва суръати пошидани металл тез аст. Истифодаи пошидани RF васеътар аст, ба ғайр аз пошидани маводи ноқилӣ, инчунин пошидани маводи ғайриноқилӣ, инчунин тайёр кардани пошидани реактивии оксидҳо, нитридҳо ва карбидҳо ва дигар маводи мураккаб. Агар басомади РБ зиёд шавад, он пошидани плазмаи микроволновка мегардад. Дар айни замон, одатан резонанси электронии сиклотронӣ (ECR) пошидани плазмаи микромавҷӣ истифода мешавад.
Маводи мақсадноки қабати пошидани Magnetron:
Маводи мақсадноки пошидани металлӣ, маводи рӯйпӯши хӯлаи пошидани сафолӣ, маводҳои пӯшиши сафолии борӣ, маводи мавриди ҳадафи пошидани сафолии карбиди, маводи мавриди ҳадафи пошидани сафолии фториди, маводи мавриди ҳадафи пошидани сафоли нитридӣ, ҳадафи сафолии оксиди, маводи ҳадафии сафолии селенид, маводи мақсадноки пошидани сафоли силисид, Маводи ҳадафии пошидани сафоли сулфидӣ, ҳадафи пошидани сафолии теллурид, ҳадафи сафолии дигар, ҳадафи сафолии оксиди кремний (CR-SiO), ҳадафи фосфиди индӣ (InP), ҳадафи арсениди сурб (PbAs), ҳадафи арсениди индӣ (InAs).
Вақти фиристодан: 03-03-2022