Дар вактхои охир бисьёр рафикон дар бораи хусусиятхои объектхои пошидани молибден пурсон шуданд. Дар саноати электронӣ барои баланд бардоштани самаранокии пошидан ва таъмини сифати плёнкаҳои пошидашуда ба хусусиятҳои объектҳои пошидани молибден чӣ гуна талаботҳо мавҷуданд? Акнун мутахассисони техникии RSM онро ба мо мефаҳмонанд.
1. Покӣ
Тозагии баланд талаботи асосии хоси ҳадафи пошидани молибден мебошад. Чӣ қадаре ки тозагии молибден баланд бошад, ҳамон қадар иҷрои филми пошидашуда беҳтар мешавад. Умуман, тозагии ҳадафи пошидани молибден бояд на камтар аз 99,95% бошад (фекцияи оммавӣ, ҳамон дар зер). Бо вуҷуди ин, бо такмили пайвастаи андозаи субстрати шишагӣ дар саноати LCD, дарозии ноқилҳо бояд дароз карда шавад ва паҳнои хат лоғартар бошад. Бо максади таъмин намудани якхела будани плёнка ва сифати симхо, инчунин тозагии объекти пошидани молибденро мутаносибан зиёд кардан лозим аст. Аз ин рӯ, мувофиқи андозаи субстрати шишагини пошида ва муҳити истифода, тозагии ҳадафи пошидани молибден бояд 99,99% - 99,999% ё ҳатто баландтар бошад.
Ҳадафи пошидани молибден ҳамчун манбаи катод ҳангоми пошидан истифода мешавад. Наҷосатҳо дар сахт ва оксиген ва буғи об дар сӯрохҳо манбаи асосии ифлосшавии филмҳои гузошташуда мебошанд. Илова бар ин, дар саноати электронӣ, азбаски ионҳои металлҳои сілтӣ (Na, K) ба осонӣ дар қабати изолятсия ба ионҳои мобилӣ табдил меёбанд, кори дастгоҳи аслӣ кам мешавад; Элементҳо ба монанди уран (U) ва титан (TI) α рентгенӣ бароварда мешаванд, ки дар натиҷа нарм шикастани дастгоҳҳо мешаванд; Ионҳои оҳан ва никел боиси ихроҷи интерфейс ва афзоиши элементҳои оксиген мешаванд. Аз ин рӯ, дар раванди омодасозии ҳадафи пошидани молибден, ин унсурҳои наҷосат бояд ба таври қатъӣ назорат карда шаванд, то мундариҷаи онҳо дар ҳадаф ҳадди ақалл кам карда шаванд.
2. Андозаи дона ва тақсимоти андоза
Умуман, ҳадафи пошидани молибден сохтори поликристаллӣ мебошад ва андозаи дона метавонад аз микрон то миллиметр бошад. Натичахои тачрибавй нишон медиханд, ки суръати пошидани донаи махин назар ба нишондихандахои гандум тезтар аст; Барои ҳадафе, ки фарқияти андозаи ғаллаи хурд дорад, тақсимоти ғафсии филми гузошташуда низ яксонтар аст.
3. Самти кристалл
Азбаски атомҳои мавриди ҳадаф ба осонӣ дар самти ҷойгиршавии наздиктарини атомҳо дар самти шашкунҷа ҳангоми пошидан осонанд, бо мақсади ба даст овардани суръати баландтарини пошидан, суръати пошидан аксар вақт тавассути тағир додани сохтори кристаллии ҳадаф зиёд карда мешавад. Самти булӯрии ҳадаф инчунин ба якрангии ғафсии филми пошидашуда таъсири калон мерасонад. Аз ин рӯ, барои раванди пошидани филм ба даст овардани сохтори мақсадноки кристалл нигаронидашуда хеле муҳим аст.
4. Зич кардан
Дар ҷараёни пӯшонидани пошидани пошидан, вақте ки ҳадафи пошидани бо зичии паст бомбаборон карда мешавад, гази дар сӯрохиҳои дохилии ҳадаф мавҷудбуда ногаҳон хориҷ мешавад, ки дар натиҷа заррачаҳо ё зарраҳои ҳадафи калонҳаҷм пошида мешаванд ё маводи плёнка бомбаборон карда мешаванд. тавассути электронҳои дуюмдараҷа пас аз ташаккули филм, ки боиси пошидани зарраҳо мегардад. Пайдо шудани ин заррахо сифати плёнкаро паст мекунад. Барои кам кардани сӯрохиҳо дар ашёи мавриди ҳадаф ва беҳтар кардани иҷрои филм, ҳадафи пошидан одатан зичии баланд дорад. Барои ҳадафи пошидани молибден, зичии нисбии он бояд бештар аз 98% бошад.
5. Пайвасткунии ҳадаф ва шасси
Умуман, ҳадафи пошидани молибден бояд пеш аз пошидан бо шасси оксигени мис (ё алюминий ва дигар маводҳо) пайваст карда шавад, то гузариши гармии ҳадаф ва шасси дар ҷараёни пошидан хуб бошад. Пас аз басташавӣ, санҷиши ултрасадо бояд анҷом дода шавад, то боварӣ ҳосил кунад, ки майдони пайваст нашудани ин ду камтар аз 2% аст, то ба талаботи пошидани пурқувват бидуни афтидан ҷавобгӯ бошад.
Вақти фиристодан: июл-19-2022