మాగ్నెట్రాన్ స్పుట్టరింగ్ టార్గెట్ యొక్క రకాలు ఏమిటి

ఇప్పుడు ఎక్కువ మంది వినియోగదారులు లక్ష్యాల రకాలను అర్థం చేసుకున్నారు మరియుదాని అప్లికేషన్లు, కానీ దాని ఉపవిభాగం చాలా స్పష్టంగా ఉండకపోవచ్చు. ఇప్పుడు చూద్దాంRSM ఇంజనీర్ మీతో పంచుకోండికొంత ప్రేరణ మాగ్నెట్రాన్ స్పుట్టరింగ్ లక్ష్యాలు.

స్పుట్టరింగ్ లక్ష్యం: మెటల్ స్పుట్టరింగ్ పూత లక్ష్యం, మిశ్రమం స్పుట్టరింగ్ పూత లక్ష్యం, సిరామిక్ స్పుట్టరింగ్ పూత లక్ష్యం, బోరైడ్ సిరామిక్ స్పుట్టరింగ్ లక్ష్యం, కార్బైడ్ సిరామిక్ స్పుట్టరింగ్ లక్ష్యం, ఫ్లోరైడ్ సిరామిక్ స్పుట్టరింగ్ లక్ష్యం, నైట్రైడ్ సిరామిక్ స్పుట్టరింగ్ లక్ష్యం, సెరామిక్ సెరామిక్ ఆక్సిడెలెన్ లక్ష్యం స్పుట్టరింగ్ లక్ష్యం, సిలిసైడ్ సిరామిక్ స్పుట్టరింగ్ లక్ష్యం, సల్ఫైడ్ సిరామిక్ స్పుట్టరింగ్ లక్ష్యం, టెల్యురైడ్ సిరామిక్ స్పుట్టరింగ్ లక్ష్యం, ఇతర సిరామిక్ లక్ష్యాలు, క్రోమియం డోప్డ్ సిలికాన్ ఆక్సైడ్ సిరామిక్ టార్గెట్ (CR SiO), ఇండియమ్ ఫాస్ఫైడ్ (INP), లీడ్ అర్సెనైడ్ టార్గెట్ indp, లక్ష్యం (InAs).

మాగ్నెట్రాన్ స్పుట్టరింగ్ సాధారణంగా రెండు రకాలుగా విభజించబడింది: DC స్పుట్టరింగ్ మరియు RF స్పుట్టరింగ్. DC స్పుట్టరింగ్ పరికరాల సూత్రం సులభం, మరియు మెటల్ స్పుట్టరింగ్ సమయంలో దాని రేటు కూడా వేగంగా ఉంటుంది. RF స్పుట్టరింగ్ విస్తృతంగా ఉపయోగించబడుతుంది. వాహక డేటాను స్పుట్టరింగ్ చేయడంతో పాటు, ఇది నాన్-కండక్టివ్ డేటాను కూడా స్పుట్టర్ చేయగలదు. ఆక్సైడ్‌లు, నైట్రైడ్‌లు మరియు కార్బైడ్‌ల వంటి సమ్మేళన డేటాను సిద్ధం చేయడానికి రియాక్టివ్ స్పుట్టరింగ్ కోసం కూడా స్పుట్టరింగ్ లక్ష్యాన్ని ఉపయోగించవచ్చు. RF ఫ్రీక్వెన్సీ పెరిగితే, అది మైక్రోవేవ్ ప్లాస్మా స్పుట్టరింగ్ అవుతుంది. ప్రస్తుతం, ఎలక్ట్రాన్ సైక్లోట్రాన్ రెసొనెన్స్ (ECR) మైక్రోవేవ్ ప్లాస్మా స్పుట్టరింగ్ సాధారణంగా ఉపయోగించబడుతుంది.