மாலிப்டினம் ஸ்பட்டரிங் இலக்கின் சிறப்பியல்பு தேவைகள்

சமீபத்தில், பல நண்பர்கள் மாலிப்டினம் ஸ்பட்டரிங் இலக்குகளின் பண்புகள் பற்றி கேட்டனர். எலக்ட்ரானிக் துறையில், ஸ்பட்டரிங் செயல்திறனை மேம்படுத்துவதற்கும், டெபாசிட் செய்யப்பட்ட படங்களின் தரத்தை உறுதி செய்வதற்கும், மாலிப்டினம் ஸ்பட்டரிங் இலக்குகளின் பண்புகளுக்கான தேவைகள் என்ன? இப்போது RSM இன் தொழில்நுட்ப வல்லுநர்கள் அதை எங்களுக்கு விளக்குவார்கள்.

　　1. தூய்மை

உயர் தூய்மை என்பது மாலிப்டினம் ஸ்பட்டரிங் இலக்கின் அடிப்படைத் தேவையாகும். மாலிப்டினம் இலக்கின் தூய்மை எவ்வளவு அதிகமாக இருக்கிறதோ, அந்த அளவுக்கு தெறிக்கப்பட்ட படத்தின் செயல்திறன் சிறப்பாக இருக்கும். பொதுவாக, மாலிப்டினம் ஸ்பட்டரிங் இலக்கின் தூய்மை குறைந்தபட்சம் 99.95% ஆக இருக்க வேண்டும் (நிறை பின்னம், கீழே உள்ளது). இருப்பினும், எல்சிடி தொழிற்துறையில் கண்ணாடி அடி மூலக்கூறின் அளவின் தொடர்ச்சியான முன்னேற்றத்துடன், வயரிங் நீளம் நீட்டிக்கப்பட வேண்டும் மற்றும் வரி அகலம் மெல்லியதாக இருக்க வேண்டும். படத்தின் சீரான தன்மை மற்றும் வயரிங் தரத்தை உறுதி செய்வதற்காக, மாலிப்டினம் ஸ்பட்டரிங் இலக்கின் தூய்மையும் அதற்கேற்ப அதிகரிக்கப்பட வேண்டும். எனவே, சிதறிய கண்ணாடி அடி மூலக்கூறின் அளவு மற்றும் பயன்பாட்டு சூழலின் படி, மாலிப்டினம் ஸ்பட்டரிங் இலக்கின் தூய்மை 99.99% - 99.999% அல்லது அதற்கும் அதிகமாக இருக்க வேண்டும்.

மாலிப்டினம் ஸ்பட்டரிங் இலக்கு ஸ்பட்டரிங்கில் கேத்தோடு மூலமாகப் பயன்படுத்தப்படுகிறது. திட மற்றும் ஆக்ஸிஜன் மற்றும் துளைகளில் உள்ள நீராவி ஆகியவற்றில் உள்ள அசுத்தங்கள் டெபாசிட் செய்யப்பட்ட படங்களின் முக்கிய மாசு ஆதாரங்களாகும். கூடுதலாக, எலக்ட்ரானிக் துறையில், கார உலோக அயனிகள் (Na, K) இன்சுலேஷன் லேயரில் மொபைல் அயனிகளாக மாற எளிதானது என்பதால், அசல் சாதனத்தின் செயல்திறன் குறைக்கப்படுகிறது; யுரேனியம் (U) மற்றும் டைட்டானியம் (TI) போன்ற தனிமங்கள் α X-ray வெளியிடப்படும், இதன் விளைவாக சாதனங்களின் மென்மையான முறிவு ஏற்படுகிறது; இரும்பு மற்றும் நிக்கல் அயனிகள் இடைமுகம் கசிவு மற்றும் ஆக்ஸிஜன் தனிமங்களின் அதிகரிப்பை ஏற்படுத்தும். எனவே, மாலிப்டினம் ஸ்பட்டரிங் இலக்கைத் தயாரிக்கும் செயல்பாட்டில், இந்த தூய்மையற்ற கூறுகள் இலக்கில் அவற்றின் உள்ளடக்கத்தைக் குறைக்க கண்டிப்பாகக் கட்டுப்படுத்தப்பட வேண்டும்.

　　2. தானிய அளவு மற்றும் அளவு விநியோகம்

பொதுவாக, மாலிப்டினம் ஸ்பட்டரிங் இலக்கு பாலிகிரிஸ்டலின் கட்டமைப்பாகும், மேலும் தானிய அளவு மைக்ரான் முதல் மில்லிமீட்டர் வரை இருக்கும். பருமனான தானிய இலக்கை விட நுண்ணிய தானிய இலக்கின் தெறிக்கும் வீதம் வேகமாக இருப்பதாக சோதனை முடிவுகள் காட்டுகின்றன; சிறிய தானிய அளவு வேறுபாடு கொண்ட இலக்குக்கு, டெபாசிட் செய்யப்பட்ட படத்தின் தடிமன் விநியோகமும் மிகவும் சீரானது.

　　3. படிக நோக்குநிலை

இலக்கு அணுக்கள் ஸ்பட்டரிங் போது அறுகோண திசையில் அணுக்களின் நெருங்கிய ஏற்பாட்டின் திசையில் முன்னுரிமையுடன் தெளிக்கப்படுவது எளிதானது என்பதால், அதிக ஸ்பட்டரிங் விகிதத்தை அடைவதற்காக, இலக்கின் படிக அமைப்பை மாற்றுவதன் மூலம் ஸ்பட்டரிங் வீதம் அடிக்கடி அதிகரிக்கப்படுகிறது. இலக்கின் படிக திசையும் சிதறிய படத்தின் தடிமன் சீரான தன்மையில் பெரும் தாக்கத்தை ஏற்படுத்துகிறது. எனவே, படத்தின் ஸ்பட்டரிங் செயல்முறைக்கு ஒரு குறிப்பிட்ட படிக சார்ந்த இலக்கு அமைப்பைப் பெறுவது மிகவும் முக்கியம்.

　　4. அடர்த்தி

ஸ்பட்டரிங் பூச்சு செயல்பாட்டில், குறைந்த அடர்த்தி கொண்ட ஸ்பட்டரிங் இலக்கு குண்டுவீசப்படும் போது, ​​இலக்கின் உள் துளைகளில் இருக்கும் வாயு திடீரென வெளியிடப்படுகிறது, இதன் விளைவாக பெரிய அளவிலான இலக்கு துகள்கள் அல்லது துகள்கள் தெறிக்கிறது, அல்லது படப் பொருள் குண்டுவீசப்படுகிறது. பிலிம் உருவான பிறகு இரண்டாம் நிலை எலக்ட்ரான்களால், துகள் தெறிக்கும். இந்த துகள்களின் தோற்றம் படத்தின் தரத்தை குறைக்கும். இலக்கு திடப்பொருளில் உள்ள துளைகளைக் குறைப்பதற்கும், படத்தின் செயல்திறனை மேம்படுத்துவதற்கும், ஸ்பட்டரிங் இலக்கு பொதுவாக அதிக அடர்த்தியைக் கொண்டிருக்க வேண்டும். மாலிப்டினம் ஸ்பட்டரிங் இலக்குக்கு, அதன் ஒப்பீட்டு அடர்த்தி 98% க்கும் அதிகமாக இருக்க வேண்டும்.

　　5. இலக்கு மற்றும் சேஸ் பிணைப்பு

பொதுவாக, மாலிப்டினம் ஸ்பட்டரிங் இலக்கு, ஸ்பட்டரிங் செய்யும் முன், ஆக்சிஜன் இல்லாத செம்பு (அல்லது அலுமினியம் மற்றும் பிற பொருட்கள்) சேஸ்ஸுடன் இணைக்கப்பட வேண்டும், இதனால் இலக்கு மற்றும் சேஸின் வெப்ப கடத்துத்திறன் ஸ்பட்டரிங் செயல்பாட்டின் போது நன்றாக இருக்கும். பிணைப்புக்குப் பிறகு, மீயொலி ஆய்வு, இரண்டின் பிணைப்பு அல்லாத பகுதி 2% க்கும் குறைவாக இருப்பதை உறுதிசெய்ய வேண்டும், இதனால் உயர்-பவர் ஸ்பட்டரிங் தேவைகளைப் பூர்த்தி செய்ய வேண்டும்.