Kanuni za Kunyunyizia Magnetron kwa Malengo ya Kunyunyiza

Watumiaji wengi lazima wawe wamesikia kuhusu bidhaa ya shabaha ya kunyunyiza, lakini kanuni ya lengo la kunyunyiza inapaswa kuwa isiyojulikana kwa kiasi. Sasa, mhariri waRich Special Nyenzo(RSM) inashiriki kanuni za magnetron sputtering ya lengo la sputtering.

Sehemu ya sumaku ya orthogonal na uwanja wa umeme huongezwa kati ya elektrodi inayolengwa (cathode) na anode, gesi ya ajizi inayohitajika (kwa ujumla gesi ya Ar) imejazwa kwenye chumba cha utupu cha juu, sumaku ya kudumu huunda uwanja wa sumaku wa 250 ~ 350 wa Gauss. uso wa data inayolengwa, na uwanja wa umeme wa orthogonal huundwa na uwanja wa umeme wa juu-voltage.

Chini ya athari ya uwanja wa umeme, Ar gesi ni ionized katika ions chanya na elektroni. Voltage fulani hasi ya juu huongezwa kwa lengo. Athari ya uwanja wa sumaku kwenye elektroni zinazotolewa kutoka kwa nguzo inayolengwa na uwezekano wa ionization wa kuongezeka kwa gesi inayofanya kazi, na kutengeneza plasma yenye msongamano wa juu karibu na cathode. Chini ya athari ya nguvu ya Lorentz, ioni za Ar huharakisha hadi kwenye uso unaolengwa na kushambulia uso unaolengwa kwa kasi ya juu sana, Atomu zilizotapakaa kwenye lengwa hufuata kanuni ya ubadilishaji wa kasi na kuruka kutoka kwenye uso lengwa hadi kwenye substrate yenye nishati ya juu ya kinetiki. kuweka filamu.

Unyunyizaji wa sumaku kwa ujumla umegawanywa katika aina mbili: utiririshaji wa sumaku na utiririshaji wa RF. Kanuni ya vifaa vya tawimto sputtering ni rahisi, na kiwango chake pia ni haraka wakati sputtering chuma. RF sputtering hutumiwa sana. Mbali na sputtering vifaa conductive, inaweza pia sputter zisizo conductive vifaa. Wakati huo huo, pia hufanya sputtering tendaji kuandaa vifaa vya oksidi, nitridi, carbides na misombo mingine. Ikiwa mzunguko wa RF umeongezeka, itakuwa microwave sputtering plasma. Sasa, elektroni cyclotron resonance (ECR) microwave sputtering plasma ni kawaida kutumika.