Athari Kubwa ya Kiumeme na Macho katika Visima vya Ge/SiGe Vilivyounganishwa vya Quantum

Picha za silicon kwa sasa zinazingatiwa kuwa jukwaa la kizazi kijacho la upigaji picha kwa mawasiliano yaliyopachikwa. Walakini, ukuzaji wa moduli za macho zenye nguvu na za chini bado ni changamoto. Hapa tunaripoti athari kubwa ya kielektroniki katika visima vya quantum vya Ge/SiGe. Athari hii ya kuahidi inategemea athari ya quantum Stark isiyo ya kawaida kwa sababu ya kizuizi tofauti cha elektroni na mashimo kwenye visima vya quantum vya Ge/SiGe vilivyounganishwa. Jambo hili linaweza kutumika kuboresha kwa kiasi kikubwa utendakazi wa vidhibiti mwanga ikilinganishwa na mbinu za kawaida zilizotengenezwa hadi sasa katika picha za silicon. Tumepima mabadiliko katika faharasa ya refractive hadi 2.3 × 10-3 kwa voltage ya upendeleo ya 1.5 V na ufanisi wa urekebishaji unaolingana wa VπLπ wa 0.046 Vcm. Maonyesho haya yanafungua njia ya uundaji wa vidhibiti bora vya kasi ya juu kulingana na mifumo ya nyenzo ya Ge/SiGe.