Om tillämpningen och principen för sputtering target-teknologi, har vissa kunder konsulterat RSM, nu för detta problem som är mer oroade över, tekniska experter delar viss specifik relaterad kunskap.
Sputtringsmålapplikation:
Laddande partiklar (såsom argonjoner) bombarderar en fast yta, vilket gör att ytpartiklar, såsom atomer, molekyler eller buntar, flyr från ytan av objektet fenomen som kallas "sputtering". Vid magnetronförstoftningsbeläggning används vanligtvis de positiva jonerna som genereras av argonjonisering för att bombardera det fasta ämnet (målet), och de förstoftade neutrala atomerna avsätts på substratet (arbetsstycket) för att bilda ett filmskikt. Magnetron sputtering beläggning har två egenskaper: "låg temperatur" och "snabb".
Magnetronsputtringsprincip:
Ett ortogonalt magnetfält och elektriskt fält läggs till mellan den förstoftade målpolen (katoden) och anoden, och den erforderliga inerta gasen (vanligtvis Ar-gas) fylls i högvakuumkammaren. Permanentmagneten bildar ett 250-350 Gauss magnetfält på ytan av målmaterialet och bildar ett ortogonalt elektromagnetiskt fält med det elektriska högspänningsfältet.
Under inverkan av elektriskt fält joniseras Ar-gas till positiva joner och elektroner, och det finns ett visst negativt högt tryck på målet, så elektronerna som emitteras från målpolen påverkas av magnetfältet och joniseringssannolikheten för arbetet gasen ökar. En högdensitetsplasma bildas nära katoden, och Ar-joner accelererar till målytan under inverkan av Lorentz-kraft och bombarderar målytan med hög hastighet, så att de sputtrade atomerna på målet flyr från målytan med hög hastighet. kinetisk energi och flyga till substratet för att bilda en film enligt principen om momentumomvandling.
Magnetronförstoftning är generellt uppdelad i två typer: DC-förstoftning och RF-förstoftning. Principen för DC-förstoftningsutrustning är enkel, och hastigheten är hög vid sputtering av metall. Användningen av RF-förstoftning är mer omfattande, förutom förstoftning av ledande material, men också sputtering av icke-ledande material, men också reaktiv sputtering framställning av oxider, nitrider och karbider och andra sammansatta material. Om frekvensen av RF ökar blir det mikrovågsplasmaförstoftning. För närvarande används vanligen mikrovågsplasmaförstoftning av elektroncyklotronresonans (ECR)-typ.
Posttid: Aug-01-2022