Leuwih ti éta, sakumaha aranjeunna némbongkeun dina kertas "Émisi bandgap langsung ti héksagonal germanium jeung silikon-germanium alloy" diterbitkeun dina jurnal Alam, maranéhanana éta bisa. Panjang gelombang radiasi téh terus adjustable dina rentang lega. Numutkeun aranjeunna, panemuan anyar ieu tiasa ngamungkinkeun ngembangkeun chip fotonik langsung dina sirkuit terpadu silikon-jermanium.
Konci pikeun ngarobah alloy SiGe kana emitter bandgap langsung nyaéta pikeun meunangkeun germanium jeung germanium-silikon alloy kalawan struktur kisi héksagonal. Panaliti di Universitas Téknis Eindhoven, sareng kolega ti Universitas Téknis Munich sareng universitas Jena sareng Linz, nganggo kawat nano anu didamel tina bahan anu béda salaku témplat pikeun kamekaran héksagonal.
Kawat nano teras janten témplat pikeun cangkang germanium-silikon dimana bahan dasarna ngadamel struktur kristal héksagonal. Dina awalna, kumaha oge, struktur ieu teu bisa bungah emit cahaya. Saatos tukeur ide sareng kolega di Walther Schottky Institute di Universitas Téknis Munich, aranjeunna nganalisis sipat optik unggal generasi sareng pamustunganana ngaoptimalkeun prosés manufaktur dugi ka titik dimana kawat nano leres-leres tiasa ngaluarkeun cahaya.
"Dina waktu nu sarua, kami geus kahontal kinerja ampir comparable mun indium phosphide atanapi gallium arsenide," nyebutkeun Prof Erik Bakkers ti Eindhoven Universitas Téknologi. Ku alatan éta, kreasi laser dumasar kana alloy germanium-silikon nu bisa terpadu kana prosés manufaktur konvensional bisa jadi ngan hitungan waktos.
"Upami urang sacara optik tiasa nyayogikeun komunikasi éléktronik internal sareng antar-chip, kagancangan tiasa ningkat ku faktor 1,000," saur Jonathan Finley, profésor nanosystem kuantum semikonduktor di TUM. tiasa sacara signifikan ngirangan jumlah radar laser, sénsor kimia pikeun diagnostik médis, sareng chip pikeun ngukur hawa sareng kualitas dahareun.
The silikon germanium alloy dilebur ku parusahaan urang bisa nampa babandingan ngaropéa
waktos pos: Jun-21-2023