O le tele o tagata fa'aoga atonu na fa'alogo e uiga i le oloa o le sputtering target, ae o le mataupu faavae o le sputtering target e tatau ona matua le masani ai. Ia, o le faatonu oMauoa Faapitoa Mea (RSM) fa'asoa le fa'atonuga o le fa'amaneta o le fa'amaneta.
O se fanua mageta orthogonal ma eletise eletise ua faaopoopo i le va o le sputtered taulai electrode (cathode) ma le anode, o le kasa inert manaomia (masani Ar kasa) ua faatumuina i le potu gaogao maualuga, o le maneta tumau e fausia ai se 250 ~ 350 Gauss maneta fanua i luga. luga o faʻamatalaga faʻamoemoega, ma le faʻaogaina o le eletise electromagnetic orthogonal ma le eletise eletise maualuga.
I lalo o le aafiaga o le eletise eletise, Ar gas ua ionized i ions lelei ma electrons. E fa'aopoopoina i le fa'amoemoega se fa'ailoga maualuga le lelei. Le a'afiaga o le mageta i luga o electrons emitted mai le pou sini ma le ionization avanoa o le galue kesi faateleina, fausia se plasma maualuga-density latalata i le cathode. I lalo o le aafiaga o le malosi Lorentz, Ar ions faatelevave i luga o le taulaiga ma pomu luga o le taulaiga i se saoasaoa maualuga, O le sputtered atoms i luga o le taulaiga mulimuli i le suiga malosi mataupu faavae ma lele ese mai luga o le taulaiga i le substrate ma le malosi kinetic maualuga. e teu ai ata.
Magnetron sputtering e masani ona vaevaeina i ni ituaiga se lua: Tributary sputtering ma RF sputtering. O le mataupu faavae o meafaigaluega sputtering tributary e faigofie, ma lona fua faatatau e vave foi pe a sputtering uamea. RF sputtering e faʻaaogaina lautele. I le faaopoopo atu i sputtering conductive mea, e mafai foi sputter non-conductive mea. I le taimi lava e tasi, o loʻo faʻatautaia foʻi le sputtering faʻamalosi e saunia ai mea o oxides, nitrides, carbide ma isi mea faʻapipiʻi. Afai e faʻateleina le RF, o le a avea ma microwave plasma sputtering. Ole taimi nei, ole eletise ole cyclotron resonance (ECR) microwave plasma sputtering e masani ona faʻaaogaina.
Taimi meli: Me-31-2022