E mafai ona vaevaeina i DC magnetron sputtering ma RF magnetron sputtering.
O le DC sputtering metotia e manaʻomia ai e mafai e le sini ona faʻafeiloaʻi le tau lelei na maua mai le faʻaogaina o le pomu ion i le cathode i le faʻafesoʻotaʻi vavalalata ma ia, ona mafai lea e lenei auala naʻo le sputter le faʻamatalaga o le conductor, lea e le talafeagai mo faʻamaumauga faʻagata, ona o le e le mafai ona faʻafefeteina le tau o le ion i luga o le fogaeleele pe a osofaʻia le sini faʻapipiʻi, lea o le a taʻitaʻia ai le faʻateleina o le gafatia i luga o le faʻamoemoega, ma toetoe lava a faʻaogaina uma le voltage faʻaogaina i le sini, o le mea lea o le avanoa o le ion. faʻavavevave ma ionization i le va o pou e lua o le a faʻaitiitia, pe e le mafai foi ona faʻafefe, E taʻitaʻia ai le toilalo o le faʻaauau pea, e oʻo lava i faʻalavelave faʻalavelave ma faʻalavelave sputtering. O le mea lea, e tatau ona fa'aoga le leitio fa'avevesi (RF) mo fa'amautu fa'amama po'o ni fa'ailoga e le u'amea e le lelei le amio.
O le faagasologa o le sputtering e aofia ai faiga faʻasalalau faʻalavelave ma faʻagasologa o le fesiitaiga o le malosi: muamua, o mea faʻalavelave faʻafuaseʻi e fetoʻai faʻatasi ma atoms taulaʻi, ma o se vaega o le malosi kinetic o mea faʻalavelave faʻafuaseʻi o le a tuʻuina atu i atoms taulaʻi. O le malosi o le kinetic o nisi atoma taulaʻi e sili atu i le pa puipui e mafai ona faia e isi atoma o loʻo siomia ai i latou (5-10ev mo metala), ona tuʻituʻi ese ai lea mai le lattice lattice lattice e maua mai ai atoms i fafo, Ma toe faʻalavelave faʻatasi ma atoms lata ane. , e i'u ai i se fa'alavelave fa'afuase'i. A oʻo atu lenei faʻalavelave faʻafuaseʻi i luga o le faʻamoemoe, pe afai o le malosi o le kinetic o atoms latalata i luga o le taulaiga e sili atu nai lo le malosi faʻamau (1-6ev mo metals), o nei atoms o le a vavae ese mai luga o le taulaiga. ma ulufale i le vacuum.
Sputtering coating o le tomai lea o le fa'aogaina o mea'ai ua molia e tu'i ai le pito i luga o le sini i totonu o le vacuum e fa'aputu ai mea'ai tu'i i luga o le mea'ai. E masani lava, e fa'aaogaina le fa'amalo o le kasa inert maualalo e fa'atupu ai ions fa'alavelave. O le sini cathode e faia i mea faʻapipiʻi, o le substrate o loʻo faʻaaogaina e pei o le anode, 0.1-10pa argon poʻo isi kasa inert ua faʻafeiloaʻi i totonu o le potu gaogao, ma faʻaalia le susulu i lalo o le gaioiga o le cathode (target) 1-3kv DC maualuga le lelei. voltage po'o le 13.56MHz RF voltage. O ion argon ionized e tuʻi i luga o le faʻamoemoe, ma mafua ai ona sausau ma faʻaputu i luga o le substrate e fausia ai se ata manifinifi. I le taimi nei, o loʻo i ai le tele o auala faʻafefe, aemaise lava e aofia ai le sputtering lona lua, tertiary or quaternary sputtering, magnetron sputtering, target sputtering, RF sputtering, bias sputtering, asymmetric communication RF sputtering, ion beam sputtering ma reactive sputtering.
Talu ai ona o le sputtered atoms o loʻo sasaa i fafo pe a uma ona fesuiaʻi le malosi o le kinetic ma ion lelei ma le sefulu o le eletise eletise eletise, o atoms sputtered e maualuga le malosi, lea e faʻaleleia ai le faʻaleleia o le mafai ona faʻasalalauina o atoms i le taimi o le faʻapipiʻiina, faʻaleleia le lelei o le faʻapipiʻiina o faʻatulagaga, ma le faia. o le ata tifaga saunia e iai le pipii malosi ma le substrate.
I le taimi o sputtering, ina ua uma ona ionized le kesi, lele le kesi ion i le sini e fesootai i le cathode i lalo o le gaioiga o le eletise, ma le electrons lele i le eleele puipui puipui ma substrate. I lenei auala, i lalo o le eletise maualalo ma le maualalo o le mamafa, o le numera o ion e laʻititi ma o le malosi o le sputtering o le sini e maualalo; I le maualuga o le voltage ma le maualuga o le mamafa, e ui lava e tele atu ion e mafai ona tupu, o le electrons lele i le substrate e maualuga le malosi, lea e faigofie ona vevela le substrate ma e oʻo lava i le sputtering lona lua, e aʻafia ai le lelei o ata. E le gata i lea, o le avanoa o le faʻalavelave i le va o atoma o loʻo taulaʻi ma mole kesi i le faagasologa o le lele i le substrate ua matua faateleina foi. O le mea lea, o le a faʻasalalauina i le lua atoa, lea o le a le gata ina faʻaumatia le taulaʻi, ae faʻaleagaina ai foi vaega taʻitasi i le taimi o le sauniuniga o ata tifaga multilayer.
Ina ia foia le faaletonu i luga, DC magnetron sputtering tekinolosi na atiina ae i le 1970s. E foia lelei le faaletonu o le maualalo cathode sputtering fua faatatau ma le faateleina o le vevela substrate mafua mai electrons. O le mea lea, ua vave ona atiaʻe ma faʻaaogaina lautele.
O le mataupu faavae e faapea: i le magnetron sputtering, ona o le electrons gaioi o loo i lalo o le malosi Lorentz i le fanua mageta, o le a tortuous po o le faataamilosaga o latou ala savali, ma o latou ala lafo o le a umi. O le mea lea, o le numera o faʻalavelave faʻatasi ma le gaʻo gaʻo gaʻo ua faʻateleina, ina ia faʻateleina le maualuga o le plasma, ona faʻaleleia atili ai lea o le magnetron sputtering rate, ma e mafai ona galue i lalo ifo o le voltage sputtering ma le mamafa e faʻaitiitia ai le faʻaleagaina o ata tifaga; I le isi itu, e faʻaleleia ai foʻi le malosi o faʻalavelave faʻalavelave i luga o le substrate, o lea e mafai ai ona faʻaleleia le lelei o le ata i se tulaga tele. I le taimi lava e tasi, pe a oʻo atu le eletise e leiloa le malosi e ala i le tele o feteʻenaʻiga i le anode, ua avea i latou ma eletise eletise maualalo, ona le faʻafefe ai lea o le substrate. O le mea lea, o le magnetron sputtering ei ai le lelei o le "maualalo maualuga" ma le "maualalo vevela". O le le lelei o lenei metotia e le mafai ona saunia le ata insulator, ma o le le tutusa maneta o loʻo faʻaaogaina i le magnetron electrode o le a mafua ai ona manino le le tutusa o le sini, e mafua ai le maualalo o le faʻaogaina o le faʻatatau, lea e masani lava na o le 20% - 30 %.
Taimi meli: Me-16-2022