E pei ona tatou iloa uma, o le atinaʻeina o tekinolosi mea faʻapitoa e fesoʻotaʻi vavalalata ma le atinaʻeina o tekinolosi ata tifaga i lalo ole alamanuia talosaga. Faʻatasi ai ma le faʻaleleia o tekinolosi o oloa ata tifaga poʻo vaega i totonu o le alamanuia faʻaoga, e tatau foi ona suia le tekonolosi faʻatatau. Mo se faʻataʻitaʻiga, na taulaʻi talu ai nei e le au gaosi Ic le atinaʻeina o le maualalo o le resistivity copper wiring, lea e faʻamoemoeina e matua suitulaga i le ata alumini muamua i nai tausaga o lumanaʻi, o lea o le atinaʻeina o sini apamemea ma o latou manaʻomia pa puipui o le a faanatinati.
E le gata i lea, i tausaga talu ai nei, o le faʻaaliga o le laulau mafolafola (FPD) ua tele na suia ai le pusa o le cathode-ray tube (CRT) -faʻaalia komepiuta ma maketi televise. O le a matua fa'ateleina ai fo'i manaoga fa'atekinisi ma maketi mo fa'amoemoega a le ITO. Ona i ai lea o le tekinolosi teuina. O loʻo faʻaauau pea ona faʻateleina le manaʻoga mo taʻavale malosi maualuga, tele-mafai ma tisiketi e mafai ona tapeina maualuga. O nei mea uma ua mafua ai suiga i le manaʻoga mo mea faʻatatau i totonu ole alamanuia talosaga. I le vaega o lo'o mulimuli mai, o le a matou fa'ailoaina vaega autu o le fa'aogaina o le fa'amoemoe ma le fa'atupuina o le fa'amoemoe i nei matā'upu.
1. Microelectronics
I alamanuia talosaga uma, o le semiconductor alamanuia o loʻo i ai le tulaga sili ona saʻo manaʻoga mo ata tifaga sputtering. Ua uma ona gaosia ni masi fa'asili sili 12 inisi (300 epistaxis). O le lautele o le feso'ota'iga ua fa'aitiitia. O manaʻoga o le gaosiga o mea faʻapipiʻi silicon mo mea faʻapipiʻi e lapopoa, maualuga le mama, maualalo le vavaeeseina ma saito lelei, lea e manaʻomia ai mea faʻatatau ina ia sili atu le microstructure. O le lapoa o le tioata tioata ma le tutusa o mea faʻatatau ua manatu o le mea taua e aʻafia ai le fua o le teuina o ata.
Pe a faatusatusa i le alumini, apamemea e maualuga atu le electromobility tetee ma maualalo resistivity, lea e mafai ona ausia manaoga o le tekinolosi conductor i le submicron uaea i lalo 0.25um, ae e aumaia ai isi faafitauli: malosi adhesion maualalo i le va o le kopa ma mea faʻaola. E le gata i lea, e faigofie ona tali atu, lea e oʻo atu ai i le pala o le fesoʻotaʻiga apamemea ma le malepelepe o le matagaluega i le taimi o le faʻaogaina o le pu. Ina ia foia lenei faafitauli, e tatau ona seti se pa puipui i le va o le kopa ma le dielectric layer.
O mea faʻatatau o loʻo faʻaaogaina i le pa puipui o fesoʻotaʻiga kopa e aofia ai Ta, W, TaSi, WSi, ma isi. Ae o Ta ma W o metals refractory. E fai si faigata ona fai, ma o lo'o su'esu'eina fo'i fa'amea e pei o le molybdenum ma le chromium e fai ma isi mea.
2. Mo le fa'aaliga
Fa'aaliga laulau mafolafola (FPD) ua matua a'afia ai le cathode-ray tube (CRT) -fa'avae mata'itusi komepiuta ma maketi televise i le tele o tausaga, ma o le a fa'aosoina ai fo'i le tekonolosi ma le mana'oga o maketi mo mea fa'atatau i le ITO. E lua ituaiga o fa'amoemoega a le ITO i aso nei. O le tasi o le faʻaaogaina o le nanometer setete o le indium oxide ma le tin oxide pauta pe a uma le sintering, o le isi o le faʻaogaina o le indium tin alloy target. ITO ata tifaga e mafai ona fauina e le DC reactive sputtering i luga o le indium-tin alloy target, ae o le a oxidize luga o le sini ma aafia ai le fua faatatau sputtering, ma e faigata ona maua lapopoa uʻamea taulaʻiga.
I aso nei, o le auala muamua e masani ona faʻaaogaina e gaosia ai mea faʻatatau i le ITO, o loʻo faʻafefeteina le ufiufi e ala i le magnetron sputtering reaction. O lo'o i ai se fua fa'atatau vave. O le mafiafia o le ata e mafai ona faʻatonutonu saʻo, o le conductivity e maualuga, o le tutusa o le ata e lelei, ma o le pipii o le substrate e malosi. Ae o le mea autu e faigata ona fai, ona o le indium oxide ma le tin oxide e le faigofie ona faʻatasi faʻatasi. E masani lava, ZrO2, Bi2O3 ma CeO ua filifilia e pei o sintering additives, ma o le mea autu ma le density o le 93% ~ 98% o le tau aoga e mafai ona maua. O le faatinoga o le ata ITO na fausia i lenei auala e iai se sootaga lelei ma mea faaopoopo.
O le poloka poloka o ata tifaga ITO e maua mai i le faʻaaogaina o ia mea faʻatatau e oʻo atu i le 8.1 × 10n-cm, lea e latalata ile resistivity ole ata mama ITO. O le tele o le FPD ma le tioata faʻataʻitaʻi e fai si tele, ma o le lautele o tioata faʻataʻitaʻi e mafai ona oʻo atu i le 3133mm. Ina ia faʻaleleia le faʻaogaina o mea faʻatatau, ITO mea faʻatatau i foliga eseese, e pei o le cylindrical foliga, ua atiaʻe. I le 2000, na aofia ai e le Komisi o Fuafuaga o Atina'e a le Atunu'u ma le Matagaluega o Saienisi ma Tekonolosi ni mata'itusi tetele a le ITO i Ta'iala mo Vaega Autu o Fa'amatalaga Alamanuia o lo'o Fa'amuamua i le taimi nei mo Atina'e.
3. Fa'aoga teuina
E tusa ai ma tekinolosi teuina, o le atinaʻeina o tisiki malo maualuga ma tele-mafai e manaʻomia ai se numera tele o mea faʻataʻitaʻi faʻafefe tele. O le CoF~Cu multilayer composite film o se fa'aoga lautele fa'aoga o le tele o ata mumusu. O lo'o fa'aauau pea le atina'eina o mea e fa'atatau i le TbFeCo. O le tisiki maneta na gaosia ma le TbFeCo o loʻo i ai uiga o le tele o mea e teu ai, umi le ola tautua ma le toe faʻaaogaina e le mafai ona faʻafesoʻotaʻi.
O le Antimony germanium telluride based phase change memory (PCM) na faʻaalia ai le tele o pisinisi, avea ma vaega NOR flash memory ma DRAM maketi o se isi tekonolosi e teu ai, ae ui i lea, i le faʻatinoga e sili atu le vave faʻaititia i lalo o se tasi o luitau i luga o le auala o loʻo i ai o le leai o se toe setiina. o le gaosiga o loʻo iai nei e mafai ona faʻaititia atili faʻamaufaʻailoga atoa. O le fa'aitiitia o le toe setiina o le taimi nei e fa'aitiitia ai le fa'aogaina o le mana manatua, fa'alautele le ola o le maa, ma fa'aleleia le bandwidth fa'amaumauga, o mea taua uma i aso nei fa'aoga-fa'amatalaga, masini feavea'i fa'atau.
Taimi meli: Aukuso-09-2022