ආලේපන ඉලක්ක ද්රව්යයේ ලක්ෂණ සහ තාක්ෂණික මූලධර්ම මොනවාද

ආලේපිත ඉලක්කය මත තුනී පටල විශේෂ ද්රව්යමය හැඩයකි. ඝනකමේ නිශ්චිත දිශාවට, පරිමාණය ඉතා කුඩා වන අතර, එය අන්වීක්ෂීය මැනිය හැකි ප්රමාණයකි. මීට අමතරව, චිත්‍රපට ඝනකමේ පෙනුම සහ අතුරු මුහුණත නිසා ද්‍රව්‍ය අඛණ්ඩතාව අවසන් වන අතර එමඟින් චිත්‍රපට දත්ත සහ ඉලක්ක දත්ත එකිනෙකට වෙනස් පොදු ගුණාංග ඇති කරයි. තවද ඉලක්කය ප්‍රධාන වශයෙන් මැග්නට්‍රෝන ස්පුටරින් ආලේපනය භාවිතා කිරීම, බීජිං රිච්මාට් සංස්කාරකය අපව අවබෝධ කර ගනු ඇත. ස්පුටර් ආලේපනයේ මූලධර්මය සහ කුසලතා.

　　一、ස්පටර් ආලේපනයේ මූලධර්මය

Sputtering coating skill යනු අයන ෂෙල් වෙඩි ඉලක්ක පෙනුම භාවිතා කිරීමයි, ඉලක්ක පරමාණු sputtering ලෙස හඳුන්වන සංසිද්ධිය පිටතට පහර. උපස්ථරයේ මතුපිට තැන්පත් වී ඇති පරමාණු ස්පුටරින් ආලේපනය ලෙස හැඳින්වේ. සාමාන්‍යයෙන්, වායු අයනීකරණය වායු විසර්ජනය මගින් නිපදවනු ලබන අතර, ධන අයන විද්‍යුත් ක්ෂේත්‍රයේ ක්‍රියාකාරිත්වය යටතේ කැතෝඩ ඉලක්කයට අධික වේගයෙන් පහර දෙමින්, පරමාණු හෝ අණු වලට පහර දෙයි. කැතෝඩ ඉලක්කය, සහ චිත්‍රපටයකට තැන්පත් කිරීමට උපස්ථරයේ මතුපිටට පියාසර කිරීම. සරලව කිවහොත්, ස්පුටර් ආලේපනය භාවිතා කරයි. අයන උත්පාදනය කිරීම සඳහා අඩු පීඩන නිෂ්ක්‍රීය වායු දිලිසෙන විසර්ජනය.

සාමාන්‍යයෙන්, රික්ත විසර්ජන කුටියක ඉලෙක්ට්‍රෝඩ දෙකකින් ස්පුටරින් ෆිල්ම් ප්ලේටින් උපකරණ සමන්විත වන අතර කැතෝඩ ඉලක්කය ආෙල්පන දත්ත වලින් සමන්විත වේ. රික්තක කුටිය 0.1 ~ 10Pa පීඩනයකින් ආගන් වායුවෙන් පුරවා ඇත. 1~3kV dc හෝ 13.56mhz rf වෝල්ටීයතාවයේ සෘණ අධි වෝල්ටීයතාවයේ ක්‍රියාකාරිත්වය යටතේ කැතෝඩයේ දිදුලන විසර්ජනය සිදුවේ.ආගන් අයන ඉලක්ක මතුපිටට බෝම්බ හෙලන අතර ඉසින ලද ඉලක්ක පරමාණු උපස්ථරය මත එකතු වීමට හේතු වේ.

　　二, Sputtering ආලේපන කුසලතා ලක්ෂණ

1, වේගවත් ගොඩගැසීමේ වේගය

අධිවේගී මැග්නට්‍රෝන ඉසින ඉලෙක්ට්‍රෝඩය සහ සාම්ප්‍රදායික අදියර දෙකේ ස්පුටරින් ඉලෙක්ට්‍රෝඩය අතර වෙනස නම් චුම්බකය ඉලක්කයට පහළින් සකසා තිබීම නිසා සංවෘත අසමාන චුම්බක ක්ෂේත්‍රය ඉලක්කයේ මතුපිට ඇතිවේ. ඉලෙක්ට්‍රෝනවල ලොරෙන්ට්ස් බලය මධ්‍ය දෙසට වේ. විෂම චුම්භක ක්ෂේත්රයේ. නාභිගත කිරීමේ බලපෑම නිසා ඉලෙක්ට්‍රෝන ගැලවී යන්නේ අඩුවෙන්. විෂමජාතීය චුම්බක ක්ෂේත්‍රය ඉලක්ක පෘෂ්ඨය වටා යන අතර විෂම චුම්භක ක්ෂේත්‍රයේ ග්‍රහණය කරගත් ද්විතියික ඉලෙක්ට්‍රෝන නැවත නැවතත් වායු අණු සමඟ ගැටෙන අතර එමඟින් වායු අණුවල ඉහළ පරිවර්තන වේගය වැඩි දියුණු වේ.එබැවින්, අධිවේගී මැග්නට්‍රෝන ඉසීම අඩු බලයක් පරිභෝජනය කරයි, නමුත් පරිපූර්ණ විසර්ජන ලක්ෂණ සහිත විශිෂ්ට ආලේපන කාර්යක්ෂමතාවයක් ලබා ගත හැකිය.

2, උපස්ථර උෂ්ණත්වය අඩුයි

අධි වේග මැග්නට්‍රෝන ස්පුටරින්, අඩු උෂ්ණත්ව ස්පුටරින් ලෙසද හැඳින්වේ. හේතුව වන්නේ උපාංගය එකිනෙක සෘජුව ඇති විද්‍යුත් චුම්භක ක්ෂේත්‍ර අවකාශයක විසර්ජන භාවිතා කිරීමයි. ඉලක්කයට පිටතින්, එකිනෙකින් ඇතිවන ද්විතියික ඉලෙක්ට්‍රෝන. සෘජු විද්‍යුත් චුම්භක ක්ෂේත්‍රයක ක්‍රියාකාරිත්වය යටතේ, එය ඉලක්කයේ මතුපිටට ආසන්නව බැඳී ඇති අතර ධාවන පථය දිගේ වෘත්තාකාර පෙරළෙන රේඛාවකින් ගමන් කරයි, වායු අණු අයනීකරණය කිරීම සඳහා වායු අණු වලට නැවත නැවතත් තට්ටු කරයි. එක්ව, ඉලෙක්ට්‍රෝන ක්‍රමයෙන් ඒවායේ ශක්තිය නැති කර ගනී. උපස්ථරය අසල ඉලක්කයේ මතුපිටින් ගැලවීමට පෙර ඒවායේ ශක්තිය සම්පූර්ණයෙන්ම පාහේ නැති වන තුරු නැවත නැවත ගැටිති. ඉලෙක්ට්‍රෝන වල ශක්තිය ඉතා අඩු නිසා ඉලක්කයේ උෂ්ණත්වය අධික ලෙස ඉහල නොයයි. සාමාන්‍ය ඩයෝඩ වෙඩිල්ලක අධි ශක්ති ඉලෙක්ට්‍රෝන බෝම්බ හෙලීමෙන් ඇතිවන උපස්ථර උෂ්ණත්වය ඉහළ යාමට ප්‍රතිරෝධය දැක්වීමට එය ප්‍රමාණවත් වන අතර එය ක්‍රයොජනීකරණය සම්පූර්ණ කරයි.

3, පුළුල් පරාසයක පටල ව්යුහයන්

රික්ත වාෂ්පීකරණය සහ එන්නත් තැන්පත් කිරීම මගින් ලබා ගන්නා තුනී පටලවල ව්‍යුහය තොග ඝන ද්‍රව්‍ය තුනී කිරීමෙන් ලබා ගන්නා ඒවාට වඩා බෙහෙවින් වෙනස් ය. සාමාන්‍යයෙන් පවතින ඝන ද්‍රව්‍යවලට ප්‍රතිවිරුද්ධව, අත්‍යවශ්‍යයෙන්ම එකම ව්‍යුහය ලෙස ත්‍රිමාණ වශයෙන් වර්ගීකරණය කර ඇත, වායු අවධියේ තැන්පත් වී ඇති පටල විෂම ව්‍යුහයන් ලෙස වර්ග කෙරේ. තුනී පටල කුළුණු වන අතර ඉලෙක්ට්‍රෝන අන්වීක්ෂය පරිලෝකනය කිරීමෙන් විමර්ශනය කළ හැක. චිත්රපටයේ තීරු වර්ධනය උපස්ථරයේ මුල් උත්තල මතුපිට සහ උපස්ථරයේ කැපී පෙනෙන කොටස්වල සෙවනැලි කිහිපයක් නිසා ඇතිවේ. කෙසේ වෙතත්, උපස්ථර උෂ්ණත්වය, ගොඩගැසී ඇති පරමාණුවල මතුපිට විසුරුම, අපිරිසිදු පරමාණු වල තැන්පත් කිරීම සහ උපස්ථර මතුපිටට සාපේක්ෂව සිද්ධි පරමාණුවල සිද්ධි කෝණය හේතුවෙන් තීරුවේ හැඩය සහ ප්‍රමාණය බෙහෙවින් වෙනස් වේ. අධික උෂ්ණත්ව පරාසය තුළ, තුනී පටලයක් තන්තුමය ව්යුහයක්, ඉහළ ඝනත්වයක්, සිහින් තීරු ස්ඵටික වලින් සමන්විත වන අතර, එය ඉසින චිත්රපටයේ අද්විතීය ව්යුහය වේ.

ස්පුටර් පීඩනය සහ චිත්‍රපට ගොඩගැසීමේ වේගය ද චිත්‍රපටයේ ව්‍යුහයට බලපායි. වායු අණු උපස්ථරයේ මතුපිට පරමාණුවල විසුරුම යටපත් කිරීමේ බලපෑමක් ඇති බැවින්, ආකෘතියේ උපස්ථර උෂ්ණත්වය පහත වැටීම සඳහා ඉහළ ස්පුටරින් පීඩනයේ බලපෑම සුදුසු වේ. එබැවින්, සිහින් ධාන්ය අඩංගු porous චිත්රපට ඉහළ ඉසින පීඩනයකින් ලබා ගත හැකිය. මෙම කුඩා ධාන්ය ප්රමාණය චිත්රපටය ලිහිසි කිරීම, ඇඳුම් ප්රතිරෝධය, මතුපිට දැඩි කිරීම සහ අනෙකුත් යාන්ත්රික යෙදුම් සඳහා සුදුසු වේ.

4, සංයුතිය ඒකාකාරව සකසන්න

සංඝටකවල වාෂ්ප පීඩනය වෙනස් නිසා හෝ රත් වූ විට ඒවා වෙනස් වන නිසා රික්ත වාෂ්පීකරණයෙන් ආෙල්පනය කිරීමට යෝග්‍ය දුෂ්කර සංයෝග, මිශ්‍රණ, මිශ්‍ර ලෝහ යනාදිය. පරමාණුවල ඉලක්කගත මතුපිට ස්ථරය ස්ථරයෙන් ස්ථරය බවට පත් කිරීම ස්පුටරින් ආලේපන ක්‍රමයයි. උපස්ථරයට, මෙම අර්ථයෙන් වඩාත් පරිපූර්ණ චිත්‍රපට සෑදීමේ කුසලතාවකි. කාර්මික ආලේපන නිෂ්පාදනයේදී සියලු වර්ගවල ද්‍රව්‍ය ස්පුටර් කිරීම මගින් භාවිතා කළ හැකිය.