ඉලක්කය යනු ඉලෙක්ට්‍රොනික තොරතුරු කර්මාන්තයේ බහුලව භාවිතා වන ද්‍රව්‍යයකි. එහි භාවිතයන් රාශියක් තිබුණත් සාමාන්‍ය ජනතාව මේ ද්‍රව්‍ය ගැන වැඩිය දන්නේ නැහැ. ඉලක්ක නිෂ්පාදන ක්රමය ගැන බොහෝ අය කුතුහලයෙන් සිටිනවාද? ඊළඟට, RSM හි තාක්ෂණ දෙපාර්තමේන්තුවේ විශේෂඥයින් විසින් ඉලක්කයේ නිෂ්පාදන ක්රමය හඳුන්වා දෙනු ඇත.
ඉලක්ක නිෂ්පාදන ක්රමය
1. වාත්තු කිරීමේ ක්රමය
වාත්තු කිරීමේ ක්රමය නම් මිශ්‍ර ලෝහ අමුද්‍රව්‍ය නිශ්චිත සංයුති අනුපාතයක් සමඟ උණු කිරීම, ඉන්පසු අච්චුව තුළට උණු කිරීමෙන් පසු ලබාගත් මිශ්‍ර ලෝහ ද්‍රාවණය වත් කර ඉන්ගෝට් සෑදීමට සහ යාන්ත්‍රික සැකසුම් කිරීමෙන් පසු ඉලක්කය සෑදීමයි. වාත්තු කිරීමේ ක්රමය සාමාන්‍යයෙන් උණු කර රික්තකයට දැමිය යුතුය. පොදු වාත්තු ක්‍රම අතරට රික්ත ප්‍රේරණය දියවීම, රික්ත චාප දියවීම සහ රික්ත ඉලෙක්ට්‍රෝන බෝම්බ දියවීම ඇතුළත් වේ. එහි වාසි වන්නේ නිෂ්පාදනය කරන ලද ඉලක්කය අඩු අපිරිසිදු අන්තර්ගතයක්, අධික ඝනත්වයක් සහ විශාල පරිමාණයෙන් නිෂ්පාදනය කළ හැකි වීමයි; අවාසිය නම් ද්‍රවාංකයේ සහ ඝනත්වයේ විශාල වෙනසක් ඇති ලෝහ දෙකක් හෝ වැඩි ගණනක් උණු කිරීමේදී සාම්ප්‍රදායික ද්‍රවාංක ක්රමය මගින් ඒකාකාර සංයුතියකින් මිශ්‍ර ලෝහ ඉලක්කයක් සෑදීම අපහසු වීමයි.
2. කුඩු ලෝහ ක්රමය
කුඩු ලෝහ විද්‍යාවේ ක්රමය නම් මිශ්‍ර ලෝහ අමුද්‍රව්‍ය නිශ්චිත සංයුති අනුපාතයකින් උණු කිරීම, පසුව උණු කිරීමෙන් පසු ලබා ගන්නා මිශ්‍ර ලෝහ ද්‍රාවණය ඉන්ගෝට් වලට වාත්තු කිරීම, වාත්තු කරල් තලා, තලා දැමූ කුඩු හැඩයට තද කර, පසුව ඉහළ උෂ්ණත්වයකදී ඉලක්ක සෑදීමයි. මේ ආකාරයෙන් සාදන ලද ඉලක්කය ඒකාකාර සංයුතියේ වාසි ඇත; අවාසි යනු අඩු ඝනත්වය සහ ඉහළ අපිරිසිදු අන්තර්ගතයයි. බහුලව භාවිතා වන කුඩු ලෝහ කර්මාන්තයට සීතල සම්පීඩනය, රික්තක උණුසුම් පීඩනය සහ උණුසුම් සමස්ථානික පීඩනය ඇතුළත් වේ.
පසු කාලය: අගෝස්තු-15-2022