ඉහළ සංශුද්ධතාවයේ තඹ ඉලක්කයේ සංවර්ධන අපේක්ෂාව

වර්තමානයේදී, IC කර්මාන්තයට අවශ්‍ය සියලුම ඉහළ අන්තයේ අති-ඉහළ සංශුද්ධතා ලෝහ තඹ ඉලක්ක විශාල විදේශීය බහුජාතික සමාගම් කිහිපයක ඒකාධිකාරී වේ. දේශීය IC කර්මාන්තයට අවශ්‍ය සියලුම ultrapure තඹ ඉලක්ක ආනයනය කළ යුතු අතර, එය මිල අධික පමණක් නොව, ආනයන ක්‍රියා පටිපාටිවලද සංකීර්ණ වේ, එබැවින්, අතිශය ඉහළ සංශුද්ධතාවය (6N) තඹ ඉසීමේ ඉලක්ක සංවර්ධනය කිරීම සහ සත්‍යාපනය කිරීම චීනයට කඩිනමින් අවශ්‍ය වේ. . අති-ඉහළ සංශුද්ධතාවය (6N) තඹ ඉසින ඉලක්ක සංවර්ධනය කිරීමේ ප්‍රධාන කරුණු සහ දුෂ්කරතා දෙස බලමු.

1,අතිශය ඉහළ සංශුද්ධතාවයකින් යුත් ද්රව්ය සංවර්ධනය කිරීම

චීනයේ ඉහළ සංශුද්ධතාවයෙන් යුත් Cu, Al සහ Ta ලෝහවල පිරිසිදු කිරීමේ තාක්ෂණය කාර්මික සංවර්ධිත රටවලට වඩා බොහෝ දුරස් වේ. වර්තමානයේදී, කර්මාන්තයේ සාම්ප්‍රදායික සියලුම මූලද්‍රව්‍ය විශ්ලේෂණ ක්‍රමවලට අනුව ඉසිලීමේ ඉලක්ක සඳහා ඒකාබද්ධ පරිපථවල ගුණාත්මක අවශ්‍යතා සපුරාලිය හැකි ඉහළ සංශුද්ධතාවයෙන් යුත් ලෝහ බොහොමයක් නොමැත. ඉලක්කයෙහි ඇතුළත් කිරීම් ගණන ඉතා ඉහළ හෝ අසමාන ලෙස බෙදා ඇත. ස්පුටර් කිරීමේදී වේෆර් මත අංශු බොහෝ විට සෑදී ඇති අතර, එහි ප්‍රතිඵලයක් ලෙස කෙටි පරිපථයක් හෝ අන්තර් සම්බන්ධකයේ විවෘත පරිපථයක් ඇති වන අතර එය චිත්‍රපටයේ ක්‍රියාකාරිත්වයට බරපතල ලෙස බලපායි.

2,තඹ ඉසීම ඉලක්ක සකස් කිරීමේ තාක්ෂණය සංවර්ධනය කිරීම

තඹ ඉසින ඉලක්ක සකස් කිරීමේ තාක්ෂණය දියුණු කිරීම ප්‍රධාන වශයෙන් අංශ තුනක් කෙරෙහි අවධානය යොමු කරයි: ධාන්ය ප්‍රමාණය, දිශානතිය පාලනය සහ ඒකාකාරිත්වය. අර්ධ සන්නායක කර්මාන්තය ඉලක්ක ඉසීම සහ අමුද්‍රව්‍ය වාෂ්ප කිරීම සඳහා ඉහළම අවශ්‍යතා ඇත. ඉලක්කයේ මතුපිට ධාන්ය ප්රමාණය සහ ස්ඵටික දිශානතිය පාලනය කිරීම සඳහා එය ඉතා දැඩි අවශ්යතා ඇත. ඉලක්කයේ ධාන්ය ප්රමාණය 100 දී පාලනය කළ යුතුයμ M පහත, එබැවින්, ධාන්ය ප්රමාණය පාලනය කිරීම සහ සහසම්බන්ධතා විශ්ලේෂණය සහ හඳුනාගැනීමේ මාධ්යයන් ලෝහ ඉලක්ක සංවර්ධනය සඳහා ඉතා වැදගත් වේ.

3,විශ්ලේෂණ සංවර්ධනය සහපරීක්ෂා කිරීම තාක්ෂණය

ඉලක්කයේ ඉහළ සංශුද්ධතාවය යනු අපිරිසිදුකම අඩු කිරීමයි. අතීතයේදී, inductively coupled plasma (ICP) සහ atomic absorption spectrometry අපද්‍රව්‍ය නිර්ණය කිරීම සඳහා භාවිතා කරන ලද නමුත් මෑත වසරවලදී, ඉහළ සංවේදීතාවයක් සහිත Glow discharge quality analysis (GDMS) ක්‍රමයෙන් සම්මතය ලෙස භාවිතා කර ඇත. ක්රමය. අවශේෂ ප්රතිරෝධක අනුපාතය RRR ක්රමය ප්රධාන වශයෙන් විද්යුත් සංශුද්ධතාවය නිර්ණය කිරීම සඳහා භාවිතා වේ. එහි නිර්ණය කිරීමේ මූලධර්මය වන්නේ අපිරිසිදු ද්‍රව්‍ය ඉලෙක්ට්‍රොනික විසරණයේ ප්‍රමාණය මැනීම මගින් මූලික ලෝහයේ සංශුද්ධතාවය තක්සේරු කිරීමයි. එය කාමර උෂ්ණත්වයේ දී සහ ඉතා අඩු උෂ්ණත්වයේ දී ප්රතිරෝධය මැනීම නිසා, එය අංකය ගැනීම සරල ය. මෑත වසරවලදී, ලෝහවල සාරය ගවේෂණය කිරීම සඳහා, අතිශය ඉහළ සංශුද්ධතාවය පිළිබඳ පර්යේෂණ ඉතා ක්රියාකාරී වේ. මෙම අවස්ථාවෙහිදී, සංශුද්ධතාවය ඇගයීමට හොඳම ක්රමය වන්නේ RRR අගයයි.