تازن سالن ۾، مربوط سرڪٽ (IC) ٽيڪنالاجي جي ترقي سان، مربوط سرڪٽ جي لاڳاپيل ايپليڪيشنن کي تيزيء سان ترقي ڪئي وئي آهي. الٽرا اعلي purity المونيم مصر sputtering ٽارگيٽ، integrated سرڪٽ ڌاتو interconnects جي پيداوار ۾ هڪ معاون مواد جي طور تي، تازو گهريلو تحقيق ۾ هڪ گرم موضوع بڻجي چڪو آهي. آر ايس ايم جو ايڊيٽر اسان کي ڏيکاريندو اعلي پاڪائي ايلومينيم مصر اسپٽرنگ ٽارگيٽ جون خاصيتون.
magnetron sputtering ٽارگيٽ جي sputtering ڪارڪردگي کي وڌيڪ بهتر ڪرڻ ۽ جمع ٿيل فلمن جي معيار کي يقيني بڻائڻ لاء، تجربن جو هڪ وڏو تعداد ڏيکاري ٿو ته الٽرا-هاء پاڪائي ايلومينيم مصر جي اسپٽرنگ ٽارگيٽ جي جوڙجڪ، مائڪرو ساخت ۽ اناج جي تعارف لاء ڪجهه گهربل آهن.
ھدف جي اناج جي ماپ ۽ اناج جي واقفيت IC فلمن جي تياري ۽ ملڪيت تي وڏو اثر آھي. نتيجن مان ظاهر ٿئي ٿو ته ذخيرو جي شرح گھٽجي ٿي اناج جي سائيز جي واڌ سان؛ هڪجهڙائي سان ٺهڪندڙ ٽارگيٽ لاءِ، ننڍي اناج جي ماپ سان ٽارگيٽ جي ڦٽڻ جي شرح وڏي اناج جي ماپ سان ٽارگيٽ جي ڀيٽ ۾ تيز آهي؛ هدف جي اناج جي سائيز جيتري وڌيڪ يونيفارم، جمع ٿيل فلمن جي ٿلهي ورڇ وڌيڪ يونيفارم.
ساڳئي اسپٽرنگ اوزار ۽ پروسيس جي پيٽرولن جي تحت، Al Cu مصر جي ٽارگيٽ جي اسپٽرنگ جي شرح ايٽمي کثافت جي واڌ سان وڌي ٿي، پر اهو عام طور تي هڪ حد ۾ مستحڪم آهي. ڦاٽڻ جي شرح تي اناج جي ماپ جو اثر اناج جي سائيز جي تبديلي سان ايٽمي کثافت جي تبديلي جي ڪري آهي؛ جمع ڪرڻ جي شرح خاص طور تي ال Cu مصر جي ٽارگيٽ جي اناج جي ورهاڱي کان متاثر ٿئي ٿي. (200) ڪرسٽل جهازن جي تناسب کي يقيني بڻائڻ جي بنياد تي، (111)، (220) ۽ (311) ڪرسٽل جهازن جي تناسب کي وڌائڻ سان جمع ٿيڻ جي شرح ۾ اضافو ٿيندو.
اناج جي ماپ ۽ اناج جو رخ الٽرا-هاءِ پاڪائي ايلومينيم مصر جي هدفن کي خاص طور تي ترتيب ڏنو ويو آهي ۽ ڪنٽرول ڪيو ويو آهي ingot homogenization، گرم ڪم ڪندڙ ۽ recrystallization annealing. 20.32cm (8in) ۽ 30.48cm (12in) تائين ويفر جي سائيز جي ترقي سان، حدف جي سائيز پڻ وڌي رهي آهي، جيڪا الٽرا هاءِ پاڪائي ايلومينيم الائي اسپٽرنگ هدفن لاءِ اعليٰ گهرجن کي اڳتي وڌائي ٿي. فلم جي معيار ۽ پيداوار کي يقيني بڻائڻ لاء، ٽارگيٽ پروسيسنگ پيٽرولر کي سختي سان ڪنٽرول ڪيو وڃي ته ٽارگيٽ مائڪرو اسٽرڪچر يونيفارم ۽ اناج جي واقفيت مضبوط هجڻ گهرجي (200) ۽ (220) جهاز جي بناوت.
پوسٽ جو وقت: جون-30-2022