molybdenum sputtering ٽارگيٽ جي خاصيتن جي گهرج

تازو، ڪيترن ئي دوستن molybdenum sputtering ٽارگيٽ جي خاصيتن جي باري ۾ پڇيو. اليڪٽرانڪ صنعت ۾، اسپٽرنگ جي ڪارڪردگي کي بهتر بڻائڻ ۽ جمع ٿيل فلمن جي معيار کي يقيني بڻائڻ لاء، مولبيڊينم اسپٽرنگ ٽارگيٽ جي خاصيتن لاء ڪهڙي ضرورت آهي؟ هاڻي آر ايس ايم جا ٽيڪنيڪل ماهر اسان کي ان جي وضاحت ڪندا.

　　1. پاڪائي

اعلي پاڪائي molybdenum sputtering ٽارگيٽ جي هڪ بنيادي خاصيت جي گهرج آهي. molybdenum ٽارگيٽ جي پاڪائي جيتري وڌيڪ هوندي، اوترو ئي بهتر اسپٽر ٿيل فلم جي ڪارڪردگي. عام طور تي، molybdenum sputtering ٽارگيٽ جي پاڪائي گهٽ ۾ گهٽ 99.95٪ هجڻ گهرجي (ماس فريڪشن، هيٺ ڏنل ساڳيو). جڏهن ته، LCD صنعت ۾ شيشي جي سبسٽريٽ جي سائيز جي مسلسل سڌاري سان، وائرنگ جي ڊيگهه کي وڌائڻ جي ضرورت آهي ۽ لائين وٿ کي پتلي ٿيڻ جي ضرورت آهي. فلم جي هڪجهڙائي ۽ وائرنگ جي معيار کي يقيني بڻائڻ لاء، molybdenum sputtering ٽارگيٽ جي پاڪائي پڻ ان مطابق وڌائڻ جي ضرورت آهي. تنهن ڪري، اسپٽر ٿيل شيشي جي ذيلي ذخيري جي سائيز ۽ استعمال جي ماحول جي مطابق، molybdenum sputtering ٽارگيٽ جي پاڪائي 99.99٪ - 99.999٪ يا ان کان به وڌيڪ هجڻ جي ضرورت آهي.

Molybdenum sputtering ٽارگيٽ sputtering ۾ cathode ذريعو طور استعمال ڪيو ويندو آهي. ٿڌ ۽ آڪسيجن ۾ نجاست ۽ سوراخن ۾ پاڻي جي بخارات جمع ٿيل فلمن جا مکيه آلودگي جا ذريعا آهن. ان کان علاوه، اليڪٽرانڪ صنعت ۾، ڇاڪاڻ ته الڪلي ڌاتو آئن (Na، K) موصليت جي پرت ۾ موبائيل آئن ٿيڻ آسان آهن، اصل ڊوائيس جي ڪارڪردگي گهٽجي ويندي آهي؛ عناصر جهڙوڪ يورينيم (U) ۽ ٽائيٽينيم (TI) جاري ڪيا ويندا α X-ray، نتيجي ۾ ڊوائيسز جي نرم ڀڃڪڙي؛ لوهه ۽ نڪيل آئنز انٽرفيس جي رسي ۽ آڪسيجن عناصر جي واڌ جو سبب بڻجندا. تنهن ڪري، molybdenum sputtering ٽارگيٽ جي تياري جي عمل ۾، انهن ناپاڪ عنصرن کي سختي سان ڪنٽرول ڪرڻ جي ضرورت آهي ته جيئن انهن جي مواد کي ٽارگيٽ ۾ گھٽجي وڃي.

　　2. اناج جي ماپ ۽ سائيز جي تقسيم

عام طور تي، molybdenum sputtering ٽارگيٽ polycrystalline جوڙجڪ آهي، ۽ اناج جي سائيز micron کان millimeter جي حد تائين ٿي سگهي ٿو. تجرباتي نتيجن مان اهو ظاهر ٿئي ٿو ته سڪل اناج جي ٽارگيٽ جي ڦٽڻ جي شرح موڙي اناج جي هدف جي ڀيٽ ۾ تيز آهي. ننڍي اناج جي ماپ جي فرق سان ٽارگيٽ لاءِ، جمع ٿيل فلم جي ٿولهه جي ورڇ به وڌيڪ يونيفارم آهي.

　　3. کرسٽل آرينٽيشن

ڇاڪاڻ ته ٽارگيٽ ايٽمس آسان آهن ترجيحي طور تي اسپٽرنگ دوران هيڪساگونل هدايت ۾ ايٽم جي ويجهي ترتيب جي هدايت سان گڏ ڦوٽو، بلند ترين اسپٽرنگ جي شرح حاصل ڪرڻ لاء، اسپٽرنگ جي شرح اڪثر ڪري ٽارگيٽ جي ڪرسٽل ساخت کي تبديل ڪندي وڌايو ويندو آهي. ھدف جي ڪرسٽل طرف پڻ اسپٽر ٿيل فلم جي ٿلهي يونيفارم تي وڏو اثر آھي. تنهن ڪري، اهو تمام ضروري آهي ته فلم جي ڦهلائڻ واري عمل لاء هڪ خاص ڪرسٽل مبني ٽارگيٽ ڍانچي حاصل ڪرڻ لاء.

　　4. کثافت

اسپٽرنگ ڪوٽنگ جي عمل ۾، جڏهن گهٽ کثافت واري اسپٽرنگ ٽارگيٽ تي بمباري ڪئي ويندي آهي، هدف جي اندروني سوراخن ۾ موجود گيس اوچتو خارج ٿي ويندي آهي، جنهن جي نتيجي ۾ وڏي سائيز جا ذرڙا يا ذرڙا ڦاٽي ويندا آهن، يا فلمي مواد تي بمباري ڪئي ويندي آهي. فلم ٺهڻ کان پوءِ ثانوي اليڪٽرانن جي ذريعي، جنهن جي نتيجي ۾ ذرو ڦاٽي پيو. انهن ذرات جي ظاهري فلم جي معيار کي گهٽائي ڇڏيندو. ھدف جي مضبوطي ۾ سوراخ گھٽائڻ ۽ فلم جي ڪارڪردگي کي بھتر ڪرڻ لاء، اسپٽرنگ ٽارگيٽ کي عام طور تي اعلي کثافت جي ضرورت آھي. molybdenum sputtering ٽارگيٽ لاء، ان جي لاڳاپي کثافت 98٪ کان وڌيڪ هجڻ گهرجي.

　　5. ھدف ۽ چيسس جو پابند

عام طور تي، molybdenum sputtering ٽارگيٽ کي ڦاٽڻ کان اڳ آڪسيجن فري ڪاپر (يا ايلومينيم ۽ ٻيو مواد) جي چيسس سان ڳنڍيو وڃي، ته جيئن ڦاٽڻ واري عمل دوران ٽارگيٽ ۽ چيسس جي حرارتي چالکائي سٺي رهي. بائنڊنگ کان پوءِ، الٽراسونڪ معائنو ضرور ڪيو وڃي ته ان ڳالهه کي يقيني بڻايو وڃي ته ٻنهي جي نان بانڊنگ واري ايراضي 2 سيڪڙو کان گهٽ آهي، ته جيئن گرڻ کان سواءِ اعليٰ طاقت جي اسپٽرنگ جي ضرورتن کي پورو ڪري سگهجي.