ਪੋਲੀਸਿਲਿਕਨ ਟੀਚਾ ਕੀ ਹੈ

ਪੋਲੀਸਿਲਿਕਨ ਇੱਕ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਸਪਟਰਿੰਗ ਟੀਚਾ ਸਮੱਗਰੀ ਹੈ। SiO2 ਅਤੇ ਹੋਰ ਪਤਲੀਆਂ ਫਿਲਮਾਂ ਨੂੰ ਤਿਆਰ ਕਰਨ ਲਈ ਮੈਗਨੇਟ੍ਰੋਨ ਸਪਟਰਿੰਗ ਵਿਧੀ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਨ ਨਾਲ ਮੈਟਰਿਕਸ ਸਮੱਗਰੀ ਨੂੰ ਬਿਹਤਰ ਆਪਟੀਕਲ, ਡਾਈਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਅਤੇ ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਬਣਾਇਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਟੱਚ ਸਕਰੀਨ, ਆਪਟੀਕਲ ਅਤੇ ਹੋਰ ਉਦਯੋਗਾਂ ਵਿੱਚ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।

ਲੰਬੇ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਨੂੰ ਕਾਸਟਿੰਗ ਕਰਨ ਦੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਇੰਗੌਟ ਫਰਨੇਸ ਦੇ ਗਰਮ ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ ਹੀਟਰ ਦੇ ਤਾਪਮਾਨ ਅਤੇ ਥਰਮਲ ਇਨਸੂਲੇਸ਼ਨ ਸਮਗਰੀ ਦੀ ਗਰਮੀ ਦੀ ਖਰਾਬੀ, ਅਤੇ ਠੋਸਕਰਨ ਲੰਬੇ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦੀ ਗਤੀ 0.8~1.2cm/h ਹੈ। ਇਸਦੇ ਨਾਲ ਹੀ, ਦਿਸ਼ਾਤਮਕ ਠੋਸਕਰਨ ਦੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਵਿੱਚ, ਸਿਲਿਕਨ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਵਿੱਚ ਧਾਤ ਦੇ ਤੱਤਾਂ ਦੇ ਅਲੱਗ-ਥਲੱਗ ਪ੍ਰਭਾਵ ਨੂੰ ਮਹਿਸੂਸ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਜ਼ਿਆਦਾਤਰ ਧਾਤੂ ਤੱਤਾਂ ਨੂੰ ਸ਼ੁੱਧ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਇੱਕ ਸਮਾਨ ਪੌਲੀਕ੍ਰਿਸਟਲਾਈਨ ਸਿਲੀਕਾਨ ਅਨਾਜ ਬਣਤਰ ਦਾ ਗਠਨ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।

ਕਾਸਟਿੰਗ ਪੋਲੀਸਿਲਿਕਨ ਨੂੰ ਵੀ ਉਤਪਾਦਨ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਵਿੱਚ ਜਾਣਬੁੱਝ ਕੇ ਡੋਪ ਕੀਤੇ ਜਾਣ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਤਾਂ ਜੋ ਸਿਲੀਕਾਨ ਪਿਘਲਣ ਵਿੱਚ ਸਵੀਕ੍ਰਿਤ ਅਸ਼ੁੱਧੀਆਂ ਦੀ ਗਾੜ੍ਹਾਪਣ ਨੂੰ ਬਦਲਿਆ ਜਾ ਸਕੇ। ਉਦਯੋਗ ਵਿੱਚ ਪੀ-ਟਾਈਪ ਕਾਸਟ ਪੋਲੀਸਿਲਿਕਨ ਦਾ ਮੁੱਖ ਡੋਪੈਂਟ ਸਿਲਿਕਨ ਬੋਰਾਨ ਮਾਸਟਰ ਅਲਾਏ ਹੈ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਬੋਰਾਨ ਦੀ ਸਮੱਗਰੀ ਲਗਭਗ 0.025% ਹੈ। ਡੋਪਿੰਗ ਦੀ ਮਾਤਰਾ ਸਿਲੀਕਾਨ ਵੇਫਰ ਦੀ ਟੀਚਾ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧਕਤਾ ਦੁਆਰਾ ਨਿਰਧਾਰਤ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ। ਸਰਵੋਤਮ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧਕਤਾ 0.02 ~ 0.05 Ω • ਸੈ.ਮੀ. ਹੈ, ਅਤੇ ਅਨੁਸਾਰੀ ਬੋਰੋਨ ਗਾੜ੍ਹਾਪਣ ਲਗਭਗ 2 × 1014cm-3 ਹੈ। ਹਾਲਾਂਕਿ, ਸਿਲੀਕਾਨ ਵਿੱਚ ਬੋਰਾਨ ਦਾ ਵੱਖਰਾ ਗੁਣ 0.8 ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਦਿਸ਼ਾਤਮਕ ਠੋਸੀਕਰਨ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਨਿਸ਼ਚਿਤ ਅਲੱਗ-ਥਲੱਗ ਪ੍ਰਭਾਵ ਦਿਖਾਏਗਾ, ਹੈ, ਬੋਰੋਨ ਤੱਤ ਨੂੰ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਗਰੇਡੀਐਂਟ ਵਿੱਚ ਵੰਡਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਪਿੰਜੀ ਦੀ ਲੰਬਕਾਰੀ ਦਿਸ਼ਾ, ਅਤੇ ਰੋਧਕਤਾ ਹੌਲੀ-ਹੌਲੀ ਪਿੰਜੀ ਦੇ ਹੇਠਾਂ ਤੋਂ ਸਿਖਰ ਤੱਕ ਘਟਦੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।