ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਉਨ੍ਹਾਂ ਨੇ ਨੇਚਰ ਜਰਨਲ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰਕਾਸ਼ਿਤ ਪੇਪਰ "ਹੈਕਸਾਗੋਨਲ ਜਰਮੇਨਿਅਮ ਅਤੇ ਸਿਲੀਕਾਨ-ਜਰਮੇਨੀਅਮ ਅਲੌਇਸ ਤੋਂ ਡਾਇਰੈਕਟ ਬੈਂਡਗੈਪ ਐਮੀਸ਼ਨ" ਵਿੱਚ ਦਿਖਾਇਆ, ਉਹ ਇਸ ਦੇ ਯੋਗ ਸਨ। ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਤਰੰਗ ਲੰਬਾਈ ਇੱਕ ਵਿਆਪਕ ਰੇਂਜ ਵਿੱਚ ਲਗਾਤਾਰ ਵਿਵਸਥਿਤ ਹੁੰਦੀ ਹੈ। ਉਨ੍ਹਾਂ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ, ਇਹ ਨਵੀਆਂ ਖੋਜਾਂ ਸਿਲੀਕਾਨ-ਜਰਮੇਨੀਅਮ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਸਰਕਟਾਂ ਵਿੱਚ ਸਿੱਧੇ ਤੌਰ 'ਤੇ ਫੋਟੋਨਿਕ ਚਿਪਸ ਦੇ ਵਿਕਾਸ ਦੀ ਆਗਿਆ ਦੇ ਸਕਦੀਆਂ ਹਨ।
SiGe ਅਲਾਇਆਂ ਨੂੰ ਸਿੱਧੇ ਬੈਂਡਗੈਪ ਐਮੀਟਰਾਂ ਵਿੱਚ ਬਦਲਣ ਦੀ ਕੁੰਜੀ ਹੈਕਸਾਗੋਨਲ ਜਾਲੀ ਬਣਤਰ ਦੇ ਨਾਲ ਜਰਮੇਨੀਅਮ ਅਤੇ ਜਰਨੀਅਮ-ਸਿਲਿਕਨ ਅਲੌਏ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨਾ ਹੈ। ਆਈਂਡਹੋਵਨ ਦੀ ਤਕਨੀਕੀ ਯੂਨੀਵਰਸਿਟੀ ਦੇ ਖੋਜਕਰਤਾਵਾਂ ਨੇ, ਮਿਊਨਿਖ ਦੀ ਤਕਨੀਕੀ ਯੂਨੀਵਰਸਿਟੀ ਅਤੇ ਜੇਨਾ ਅਤੇ ਲਿੰਜ਼ ਦੀਆਂ ਯੂਨੀਵਰਸਿਟੀਆਂ ਦੇ ਸਹਿਯੋਗੀਆਂ ਨਾਲ ਮਿਲ ਕੇ, ਹੈਕਸਾਗੋਨਲ ਵਿਕਾਸ ਲਈ ਟੈਂਪਲੇਟਾਂ ਵਜੋਂ ਇੱਕ ਵੱਖਰੀ ਸਮੱਗਰੀ ਤੋਂ ਬਣੇ ਨੈਨੋਵਾਇਰਸ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕੀਤੀ।
ਫਿਰ ਨੈਨੋਵਾਇਰਸ ਇੱਕ ਜਰਨੀਅਮ-ਸਿਲਿਕਨ ਸ਼ੈੱਲ ਲਈ ਨਮੂਨੇ ਵਜੋਂ ਕੰਮ ਕਰਦੇ ਹਨ ਜਿਸ ਉੱਤੇ ਅੰਤਰੀਵ ਸਮੱਗਰੀ ਇੱਕ ਹੈਕਸਾਗੋਨਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਣਤਰ ਲਗਾਉਂਦੀ ਹੈ। ਸ਼ੁਰੂਆਤੀ ਤੌਰ 'ਤੇ, ਹਾਲਾਂਕਿ, ਇਹ ਬਣਤਰ ਪ੍ਰਕਾਸ਼ ਨੂੰ ਛੱਡਣ ਲਈ ਉਤਸ਼ਾਹਿਤ ਨਹੀਂ ਹੋ ਸਕਦੇ ਸਨ। ਮਿਊਨਿਖ ਦੀ ਟੈਕਨੀਕਲ ਯੂਨੀਵਰਸਿਟੀ ਦੇ ਵਾਲਥਰ ਸਕੌਟਕੀ ਇੰਸਟੀਚਿਊਟ ਦੇ ਸਹਿਕਰਮੀਆਂ ਨਾਲ ਵਿਚਾਰਾਂ ਦਾ ਆਦਾਨ-ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਨ ਤੋਂ ਬਾਅਦ, ਉਨ੍ਹਾਂ ਨੇ ਹਰੇਕ ਪੀੜ੍ਹੀ ਦੀਆਂ ਆਪਟੀਕਲ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਦਾ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਕੀਤਾ ਅਤੇ ਅੰਤ ਵਿੱਚ ਨਿਰਮਾਣ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਨੂੰ ਉਸ ਬਿੰਦੂ ਤੱਕ ਅਨੁਕੂਲ ਬਣਾਇਆ ਜਿੱਥੇ ਨੈਨੋਵਾਇਰਸ ਅਸਲ ਵਿੱਚ ਰੋਸ਼ਨੀ ਛੱਡ ਸਕਦੇ ਹਨ।
"ਉਸੇ ਸਮੇਂ, ਅਸੀਂ ਇੰਡੀਅਮ ਫਾਸਫਾਈਡ ਜਾਂ ਗੈਲਿਅਮ ਆਰਸੈਨਾਈਡ ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ ਲਗਭਗ ਤੁਲਨਾਤਮਕ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤਾ ਹੈ," ਆਈਂਡਹੋਵਨ ਯੂਨੀਵਰਸਿਟੀ ਆਫ ਟੈਕਨਾਲੋਜੀ ਤੋਂ ਪ੍ਰੋ. ਏਰਿਕ ਬੇਕਰਸ ਕਹਿੰਦੇ ਹਨ। ਇਸ ਲਈ, ਜਰਨੀਅਮ-ਸਿਲਿਕਨ ਅਲਾਇਆਂ 'ਤੇ ਅਧਾਰਤ ਲੇਜ਼ਰਾਂ ਦੀ ਸਿਰਜਣਾ ਜੋ ਰਵਾਇਤੀ ਨਿਰਮਾਣ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਵਿੱਚ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਕੀਤੀ ਜਾ ਸਕਦੀ ਹੈ, ਸਿਰਫ ਸਮੇਂ ਦੀ ਗੱਲ ਹੋ ਸਕਦੀ ਹੈ।
"ਜੇ ਅਸੀਂ ਆਪਟੀਕਲ ਤੌਰ 'ਤੇ ਅੰਦਰੂਨੀ ਅਤੇ ਇੰਟਰ-ਚਿੱਪ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਸੰਚਾਰ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰ ਸਕਦੇ ਹਾਂ, ਤਾਂ ਗਤੀ ਨੂੰ 1,000 ਦੇ ਕਾਰਕ ਦੁਆਰਾ ਵਧਾਇਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ," ਜੋਨਾਥਨ ਫਿਨਲੇ, ਟੀਯੂਐਮ ਵਿਖੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਕੁਆਂਟਮ ਨੈਨੋਸਿਸਟਮ ਦੇ ਪ੍ਰੋਫੈਸਰ ਨੇ ਕਿਹਾ। ਲੇਜ਼ਰ ਰਾਡਾਰਾਂ, ਮੈਡੀਕਲ ਡਾਇਗਨੌਸਟਿਕਸ ਲਈ ਰਸਾਇਣਕ ਸੈਂਸਰਾਂ, ਅਤੇ ਹਵਾ ਅਤੇ ਭੋਜਨ ਦੀ ਗੁਣਵੱਤਾ ਨੂੰ ਮਾਪਣ ਲਈ ਚਿਪਸ ਦੀ ਸੰਖਿਆ ਨੂੰ ਕਾਫ਼ੀ ਘਟਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।"
ਸਾਡੀ ਕੰਪਨੀ ਦੁਆਰਾ ਪਿਘਲਿਆ ਗਿਆ ਸਿਲੀਕੋਨ ਜਰਮਨੀਅਮ ਮਿਸ਼ਰਤ ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਅਨੁਪਾਤ ਨੂੰ ਸਵੀਕਾਰ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ
ਪੋਸਟ ਟਾਈਮ: ਜੂਨ-21-2023