ଟୁଙ୍ଗଷ୍ଟେନ୍ ସିଲିସିଡ୍ ଖଣ୍ଡ |
ଟୁଙ୍ଗଷ୍ଟେନ୍ ସିଲିସିଡ୍ ଖଣ୍ଡ |
ଟୁଙ୍ଗଷ୍ଟେନ୍ ସିଲାଇସିଡ୍ WSi2 ମାଇକ୍ରୋ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସରେ ବ electric ଦୁତିକ ଶକ୍ ସାମଗ୍ରୀ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ପଲିସିଲିକନ୍ ତାର, ଆଣ୍ଟି-ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ଆବରଣ ଏବଂ ପ୍ରତିରୋଧ ତାର ଆବରଣ | ଟୁଙ୍ଗଷ୍ଟେନ୍ ସିଲାଇସିଡ୍ ମାଇକ୍ରୋ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସରେ 60-80μΩcm ର ପ୍ରତିରୋଧକତା ସହିତ ଯୋଗାଯୋଗ ସାମଗ୍ରୀ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଏହା 1000 ° C ରେ ଗଠିତ | ଏହାର କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ବ increase ାଇବା ଏବଂ ସିଗନାଲ୍ ବେଗ ବ increase ାଇବା ପାଇଁ ଏହା ସାଧାରଣତ pol ପଲିସିଲିକନ୍ ଲାଇନ୍ ପାଇଁ ଏକ ଶଣ୍ଟ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଟୁଙ୍ଗଷ୍ଟେନ୍ ସିଲାଇସିଡ୍ ସ୍ତର ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା ଦ୍ୱାରା ପ୍ରସ୍ତୁତ ହୋଇପାରେ, ଯେପରିକି ବାଷ୍ପ ଜମା | କଞ୍ଚାମାଲ ଗ୍ୟାସ ଭାବରେ ମୋନୋସିଲାନ କିମ୍ବା ଡିକ୍ଲୋରୋସିଲାନ ଏବଂ ଟୁଙ୍ଗଷ୍ଟେନ୍ ହେକ୍ସାଫ୍ଲୋରାଇଡ୍ ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତୁ | ଜମା ହୋଇଥିବା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରଟି ଅଣ-ଷ୍ଟୋଚିଓମେଟ୍ରିକ୍ ଅଟେ ଏବଂ ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍କୁ ଅଧିକ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଷ୍ଟୋଇଚିଓମେଟ୍ରିକ୍ ରୂପରେ ପରିଣତ କରିବାକୁ ଆବଶ୍ୟକ କରେ |
ଟୁଙ୍ଗଷ୍ଟେନ୍ ସିଲିସିଡ୍ ପୂର୍ବ ଟୁଙ୍ଗଷ୍ଟେନ୍ ଫିଲ୍ମକୁ ବଦଳାଇପାରେ | ସିଲିକନ୍ ଏବଂ ଅନ୍ୟ ଧାତୁ ମଧ୍ୟରେ ଏକ ପ୍ରତିବନ୍ଧକ ସ୍ତର ଭାବରେ ଟୁଙ୍ଗଷ୍ଟେନ୍ ସିଲିସିଡ୍ ମଧ୍ୟ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |
ମାଇକ୍ରୋ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋମେକାନିକାଲ୍ ସିଷ୍ଟମରେ ଟୁଙ୍ଗଷ୍ଟେନ୍ ସିଲାଇସିଡ୍ ମଧ୍ୟ ବହୁମୂଲ୍ୟ ଅଟେ, ଯେଉଁଥିରେ ଟୁଙ୍ଗଷ୍ଟେନ୍ ସିଲାଇସିଡ୍ ମୁଖ୍ୟତ micro ମାଇକ୍ରୋ ସର୍କିଟ୍ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ଏକ ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଏହି ଉଦ୍ଦେଶ୍ୟ ପାଇଁ, ଟୁଙ୍ଗଷ୍ଟେନ୍ ସିଲାଇସିଡ୍ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର, ଉଦାହରଣ ସ୍ୱରୂପ, ସିଲାଇସିଡ୍ ବ୍ୟବହାର କରି ପ୍ଲାଜମା-ଇଚ୍ ହୋଇପାରେ |
ITEM | ରାସାୟନିକ ରଚନା | | |||||
ଉପାଦାନ | W | C | P | Fe | S | Si |
ବିଷୟବସ୍ତୁ (wt%) | 76.22 | 0.01 | 0.001 | 0.12 | 0.004 | ସନ୍ତୁଳନ |
ରିଚ୍ ସ୍ପେସିଆଲ୍ ସାମଗ୍ରୀ ସ୍ପୁଟରିଂ ଟାର୍ଗେଟ୍ ଉତ୍ପାଦନରେ ବିଶେଷଜ୍ଞ ଏବଂ ଟୁଙ୍ଗଷ୍ଟେନ୍ ସିଲିସିଡ୍ ଉତ୍ପାଦନ କରିପାରିବ |ଖଣ୍ଡଗୁଡ଼ିକ |ଗ୍ରାହକଙ୍କ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟତା ଅନୁଯାୟୀ | ଅଧିକ ସୂଚନା ପାଇଁ, ଦୟାକରି ଆମ ସହିତ ଯୋଗାଯୋଗ କରନ୍ତୁ |