Polysilisium er et viktig sputtermålmateriale. Ved å bruke magnetronforstøvningsmetoden for å forberede SiO2 og andre tynne filmer kan matrisematerialet få bedre optisk, dielektrisk og korrosjonsmotstand, som er mye brukt i berøringsskjerm, optisk og andre industrier.
Prosessen med å støpe lange krystaller er å realisere retningsbestemt størkning av flytende silisium fra bunnen til toppen gradvis ved nøyaktig å kontrollere temperaturen på varmeren i det varme feltet til støpeovnen og varmeavledningen til det termiske isolasjonsmaterialet, og størkningshastigheten for lange krystaller er 0,8 ~ 1,2 cm/t. Samtidig, i prosessen med retningsstørkning, kan segregeringseffekten av metallelementer i silisiummaterialer realiseres, de fleste metallelementene kan renses, og en jevn polykrystallinsk silisiumkornstruktur kan dannes.
Støping av polysilisium må også dopes med hensikt i produksjonsprosessen for å endre konsentrasjonen av akseptorurenheter i silisiumsmelten. Hoveddopanten av p-type støpt polysilisium i industrien er silisiumbormasterlegering, hvor borinnholdet er omtrent 0,025%. Dopingmengden bestemmes av målresistiviteten til silisiumplaten. Den optimale resistiviteten er 0,02 ~ 0,05 Ω • cm, og den tilsvarende borkonsentrasjonen er omtrent 2 × 1014 cm-3。 Imidlertid er segregeringskoeffisienten for bor i silisium 0,8, som vil vise en viss segregeringseffekt i den retningsbestemte størkningsprosessen, dvs. er at borelementet er fordelt i en gradient i vertikal retning av barren, og resistiviteten gradvis avtar fra bunnen til toppen av blokken.
Innleggstid: 26. juli 2022