Veel gebruikers hebben vast wel eens gehoord van het product sputterdoel, maar het principe van sputterdoel zou relatief onbekend moeten zijn. Nu, de redacteur vanRijk speciaal materiaal (RSM) deelt de magnetronsputterprincipes van sputterdoel.
Een orthogonaal magnetisch veld en een elektrisch veld worden toegevoegd tussen de gesputterde doelelektrode (kathode) en de anode, het vereiste inerte gas (meestal Ar-gas) wordt in de hoogvacuümkamer gevuld, de permanente magneet vormt een magnetisch veld van 250 ~ 350 Gauss het oppervlak van de doelgegevens, en het orthogonale elektromagnetische veld wordt gevormd met het elektrische hoogspanningsveld.
Onder invloed van een elektrisch veld wordt Ar-gas geïoniseerd tot positieve ionen en elektronen. Er wordt een bepaalde negatieve hoogspanning aan het doel toegevoegd. Het effect van het magnetische veld op de elektronen die door de doelpool worden uitgezonden en de ionisatiewaarschijnlijkheid van werkgas nemen toe, waardoor een plasma met hoge dichtheid nabij de kathode wordt gevormd. Onder invloed van de Lorentz-kracht versnellen Ar-ionen naar het doeloppervlak en bombarderen het doeloppervlak met een zeer hoge snelheid. De gesputterde atomen op het doel volgen het momentumconversieprincipe en vliegen weg van het doeloppervlak naar het substraat met hoge kinetische energie films te deponeren.
Magnetronsputteren wordt over het algemeen in twee typen verdeeld: zijriviersputteren en RF-sputteren. Het principe van zijriviersputterapparatuur is eenvoudig en de snelheid is ook hoog bij het sputteren van metaal. RF-sputteren wordt veel gebruikt. Naast het sputteren van geleidende materialen, kan het ook niet-geleidende materialen sputteren. Tegelijkertijd voert het ook reactief sputteren uit om materialen van oxiden, nitriden, carbiden en andere verbindingen te bereiden. Als de RF-frequentie wordt verhoogd, ontstaat er microgolfplasmasputteren. Nu wordt algemeen gebruik gemaakt van elektronencyclotronresonantie (ECR) microgolfplasmasputteren.
Posttijd: 31 mei 2022