Op silicium gebaseerde fotonica wordt momenteel beschouwd als het fotonicaplatform van de volgende generatie voor ingebedde communicatie. De ontwikkeling van compacte optische modulators met laag vermogen blijft echter een uitdaging. Hier rapporteren we een gigantisch elektro-optisch effect in Ge/SiGe-gekoppelde kwantumputten. Dit veelbelovende effect is gebaseerd op het afwijkende kwantum Stark-effect als gevolg van de afzonderlijke opsluiting van elektronen en gaten in gekoppelde Ge/SiGe-kwantumputten. Dit fenomeen kan worden gebruikt om de prestaties van lichtmodulatoren aanzienlijk te verbeteren in vergelijking met de standaardbenaderingen die tot nu toe zijn ontwikkeld in siliciumfotonica. We hebben veranderingen in de brekingsindex gemeten tot 2,3 x 10-3 bij een voorspanning van 1,5 V met een overeenkomstige modulatie-efficiëntie VπLπ van 0,046 Vcm. Deze demonstratie maakt de weg vrij voor de ontwikkeling van efficiënte hogesnelheidsfasemodulatoren op basis van Ge/SiGe-materiaalsystemen.
Posttijd: 06-jun-2023