Magnetron sputtering coating သည် အစောပိုင်း evaporation coating method နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ အခိုးအငွေ့ အပေါ်ယံလွှာ ပုံစံသစ်ဖြစ်ပြီး၊ ရှုထောင့်များစွာတွင် ၎င်း၏ အားသာချက်များသည် အလွန်မှတ်သားဖွယ်ကောင်းပါသည်။ ရင့်ကျက်သောနည်းပညာတစ်ခုအနေဖြင့် Magnetron sputtering ကို နယ်ပယ်များစွာတွင် အသုံးချခဲ့သည်။
Magnetron sputtering နိယာမ
ပစ်မှတ်ဝင်ရိုးစွန်း (cathode) နှင့် anode ကြားတွင် ထောင့်မှန်သံလိုက်စက်ကွင်းနှင့် လျှပ်စစ်စက်ကွင်းကို ပေါင်းထည့်ထားပြီး လိုအပ်သော inert gas (များသောအားဖြင့် Ar gas) ကို မြင့်မားသောလေဟာနယ်ခန်းတွင် ဖြည့်ပါသည်။ အမြဲတမ်းသံလိုက်သည် ပစ်မှတ်ပစ္စည်း၏မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် 250-350 gaus သံလိုက်စက်ကွင်းကိုဖွဲ့စည်းပြီး orthogonal electromagnetic field သည် high voltage electric field ဖြင့်ဖွဲ့စည်းထားသည်။ လျှပ်စစ်စက်ကွင်း၏အကျိုးသက်ရောက်မှုအောက်တွင် Ar gas ionization သည် အပြုသဘောဆောင်သော အိုင်းယွန်းများနှင့် အီလက်ထရွန်များအဖြစ်သို့ ပစ်မှတ်ထားပြီး သံလိုက်စက်ကွင်း၏အကျိုးသက်ရောက်မှုနှင့် အလုပ်လုပ်သောဓာတ်ငွေ့ ionization ဖြစ်နိုင်ခြေတိုးလာခြင်းကြောင့် ပစ်မှတ်မှ အနုတ်လက္ခဏာဆောင်သောဖိအားများပါရှိသည်။ cathode၊ lorentz force ၏လုပ်ဆောင်မှုအောက်တွင် Ar ion၊ ပစ်မှတ်မျက်နှာပြင်ဆီသို့ အရှိန်မြှင့်ပျံသန်းခြင်း၊ ပစ်မှတ်မျက်နှာပြင်ကို အရှိန်ပြင်းပြင်းဖြင့် ဗုံးကြဲခြင်း၊ ပစ်မှတ်ပေါ်ရှိ sputtered atom များသည် အရှိန်၏နိယာမအတိုင်း လိုက်နာဆောင်ရွက်ပါသည်။ မြင့်မားသော အရွေ့စွမ်းအင်ဖြင့် ပစ်မှတ်မျက်နှာပြင်မှ ရွေ့လျားပြီး အမှုန်အမွှား အစစ်ခံရုပ်ရှင်ဆီသို့ ပျံသန်းသွားပါသည်။
Magnetron sputtering ကို ယေဘုယျအားဖြင့် DC sputtering နှင့် RF sputtering ဟူ၍ နှစ်မျိုးခွဲထားသည်။ DC sputtering equipment ၏ နိယာမသည် ရိုးရှင်းပြီး သတ္တုကို sputtering လုပ်သောအခါတွင် မြန်သည်။ RF sputtering ကိုအသုံးပြုခြင်းသည် sputtering conductive material များအပြင် sputtering non-conductive material များအပြင် အောက်ဆိုဒ်၊ nitrides နှင့် carbides နှင့် အခြားဒြပ်ပေါင်းပစ္စည်းများ၏ ဓာတ်ပြုမှု sputtering ပြင်ဆင်မှုလည်း ပိုမိုကျယ်ပြန့်ပါသည်။ RF ကြိမ်နှုန်း တိုးလာပါက၊ ၎င်းသည် microwave plasma sputtering ဖြစ်လာသည်။ လက်ရှိတွင်၊ အီလက်ထရွန် cyclotron resonance (ECR) အမျိုးအစား microwave plasma sputtering ကို အသုံးများသည်။
Magnetron sputtering coating ပစ်မှတ်ပစ္စည်း
သတ္တု sputtering ပစ်မှတ်ပစ္စည်း၊ coating alloy sputtering coating material၊ ceramic sputtering coating material၊ boride ceramic sputtering target materials, carbide ceramic sputtering target material, fluoride ceramic sputtering target material, nitride ceramic sputtering target materials, oxide ceramic target, selenide ceramic sputtering ပစ်မှတ်ပစ္စည်း၊ silicide ကြွေထည်ပစ်မှတ်ပစ္စည်းများ၊ sulfide ကြွေထည်ပစ်မှတ်ပစ္စည်း၊ Telluride ကြွေထည်ပစ်မှတ်၊ အခြားကြွေထည်ပစ်မှတ်၊ ခရိုမီယမ်ရောင်ခြယ်ဆီလီကွန်အောက်ဆိုဒ် ကြွေထည်ပစ်မှတ် (CR-SiO)၊ အင်ဒီယမ်ဖော့စ်ဖိုက်ပစ်မှတ် (InP)၊ ခဲအာဆင်းနိုက်ပစ်မှတ် (PbAs)၊ အင်ဒီယမ် အာဆင်းနိုက်ပစ်မှတ် (InAs)။
စာတိုက်အချိန်- သြဂုတ်-၀၃-၂၀၂၂