Sputtering သည် ရုပ်ရှင်ပစ္စည်းများကို ပြင်ဆင်ရာတွင် အဓိကနည်းပညာများထဲမှ တစ်ခုဖြစ်ကြောင်း ကျွန်ုပ်တို့အားလုံးသိပါသည်။ ၎င်းသည် မြန်နှုန်းမြင့် အိုင်းယွန်းအလင်းတန်းတစ်ခုဖွဲ့စည်းရန် လေဟာနယ်တွင် စုစည်းမှုကို အရှိန်မြှင့်ရန်အတွက် အိုင်းယွန်းရင်းမြစ်မှ ထွက်လာသော အိုင်းယွန်းများကို အသုံးပြုကာ အစိုင်အခဲမျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ အက်တမ်များနှင့် အိုင်းယွန်းစွမ်းအင်များကို ဖလှယ်ကာ အစိုင်အခဲပေါ်ရှိ အက်တမ်များကို ဖြစ်ပေါ်စေသည်။ မျက်နှာပြင်သည် အစိုင်အခဲများကို ချန်ထားပြီး အောက်စထရိတ်မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် အပ်နှံပါ။ ဗုံးကြဲထားသော အစိုင်အခဲသည် sputtering target ဟုခေါ်သော sputtering ဖြင့် ဖလင်ကို အပ်နှံရန်အတွက် ကုန်ကြမ်းဖြစ်သည်။
အမျိုးမျိုးသော sputtered film material များကို semiconductor integrated circuits များ၊ recording media ၊ planar display ၊ tool နှင့် die surface coating စသည်တို့တွင် တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုလာပါသည်။
Sputtering ပစ်မှတ်များကို ပေါင်းစည်းထားသော ဆားကစ်များ၊ အချက်အလက်သိုလှောင်မှု၊ အရည်ပုံဆောင်ခဲပြသမှု၊ လေဆာအမှတ်တရများ၊ ၎င်းကို glass coating ၏နယ်ပယ်တွင်လည်းအသုံးပြုနိုင်ပါသည်။ ၎င်းကို ဝတ်ဆင်ရန် ခံနိုင်ရည်ရှိသော ပစ္စည်းများ၊ အပူချိန်မြင့်မားသော သံချေးတက်ခြင်း၊ အဆင့်မြင့် အလှဆင်ပစ္စည်းများနှင့် အခြားသော လုပ်ငန်းများတွင်လည်း အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။
sputtering ပစ်မှတ် အမျိုးအစားများစွာ ရှိပြီး ပစ်မှတ်များကို အမျိုးအစားခွဲခြင်းအတွက် မတူညီသော နည်းလမ်းများ ရှိပါသည်။
ဖွဲ့စည်းမှုအရ၊ ၎င်းကို သတ္တုပစ်မှတ်၊ သတ္တုစပ်ပစ်မှတ်နှင့် ကြွေထည်ပစ်မှတ်ဟူ၍ ခွဲခြားနိုင်သည်။
ပုံသဏ္ဍာန်အရ ၎င်းကို ရှည်လျားသောပစ်မှတ်၊ စတုရန်းပစ်မှတ်နှင့် အဝိုင်းပစ်မှတ်ဟူ၍ ခွဲခြားနိုင်သည်။
၎င်းကို မိုက်ခရိုအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ်မှတ်၊ သံလိုက်ရိုက်ကူးရေးပစ်မှတ်၊ အလင်းပြဒစ်ပစ်မှတ်၊ အဖိုးတန်သတ္တုပစ်မှတ်၊ ရုပ်ရှင်ခံနိုင်ရည်ပစ်မှတ်၊ လျှပ်ကူးနိုင်သောဖလင်ပစ်မှတ်၊ မျက်နှာပြင်ပြုပြင်မွမ်းမံပစ်မှတ်၊ မျက်နှာဖုံးပစ်မှတ်၊ အလှဆင်အလွှာပစ်မှတ်၊ လျှပ်ကူးပစ္စည်းပစ်မှတ်နှင့် အပလီကေးရှင်းနယ်ပယ်အလိုက် အခြားပစ်မှတ်များဟူ၍ ခွဲခြားနိုင်သည်။
မတူညီသောအသုံးချမှုများအရ ၎င်းကို semiconductor နှင့်သက်ဆိုင်သော ကြွေသားပစ်မှတ်များ၊ အလတ်စားကြွေပစ်မှတ်များကို မှတ်တမ်းတင်ခြင်း၊ ကြွေထည်ပစ်မှတ်များကို ပြသခြင်း၊ superconducting ကြွေပစ်မှတ်များနှင့် ဧရာမ သံလိုက်ဓာတ်ခံကြွေထည်ပစ်မှတ်များအဖြစ် ပိုင်းခြားနိုင်ပါသည်။
စာတိုက်အချိန်- ဇူလိုင်-၂၉-၂၀၂၂