အားလုံးသိကြသည့်အတိုင်း လေဟာနယ်အငွေ့ပျံခြင်း နှင့် အိုင်းယွန်းစပတာခြင်းတို့ကို ဖုန်စုပ်လွှာအလွှာတွင် အသုံးများသည်။ evaporation coating နှင့် sputtering coating အကြား ကွာခြားချက်ကား အဘယ်နည်း။ ထို့နောက် RSM မှ နည်းပညာဆိုင်ရာ ကျွမ်းကျင်သူများသည် ကျွန်ုပ်တို့နှင့် မျှဝေပါမည်။
Vacuum evaporation coating သည် 10-2Pa ထက်မနည်းသော လေဟာနယ်တွင် အပူချိန် 10-2Pa ထက်မနည်းသော ပတ်ဝန်းကျင်တွင် ခုခံအပူပေးခြင်း သို့မဟုတ် အီလက်ထရွန်ရောင်ခြည်ဖြင့် အငွေ့ပျံသွားမည့် ပစ္စည်းကို အပူပေးခြင်း၊ ပစ္စည်းရှိ အက်တမ်များသည် မျက်နှာပြင်၏ ပေါင်းစပ်စွမ်းအင်ထက် ကျော်လွန်နေသောကြောင့် မော်လီကျူးများ သို့မဟုတ် အက်တမ် အများအပြားသည် အငွေ့ပျံသွားခြင်း သို့မဟုတ် အမှုန်အမွှားများ တိုက်ရိုက်ဖြစ်စေခြင်း၊ ရုပ်ရှင်တစ်ခုဖွဲ့စည်းရန် substrate ပေါ်တွင် precipitate ။ အိုင်းယွန်း sputtering coating သည် လျှပ်စစ်စက်ကွင်း၏ လုပ်ဆောင်ချက်အောက်တွင် ဓာတ်ငွေ့ထုတ်လွှတ်မှုမှ ထုတ်ပေးသော အပြုသဘောဆောင်သော အိုင်းယွန်းများ၏ မြန်နှုန်းမြင့်ရွေ့လျားမှုကို အသုံးပြု၍ cathode အဖြစ် ပစ်မှတ်အား ဗုံးကြဲခြင်းဖြင့် ပစ်မှတ်ရှိ အက်တမ် သို့မဟုတ် မော်လီကျူးများ လွတ်ထွက်သွားပြီး ချထားသော အလုပ်ခွင်၏ မျက်နှာပြင်သို့ မိုးရွာစေပါသည်။ လိုအပ်သောရုပ်ရှင်။
လေဟာနယ် evaporation coating ၏ အသုံးအများဆုံးနည်းလမ်းမှာ ရိုးရှင်းသောဖွဲ့စည်းပုံ၊ ကုန်ကျစရိတ်သက်သာပြီး အဆင်ပြေသောလည်ပတ်မှု၏ အားသာချက်များဖြစ်သည့် ခံနိုင်ရည်ရှိအပူပေးခြင်း၊ အားနည်းချက်မှာ refractory metals နှင့် high temperature resistance dielectric material များအတွက် မသင့်လျော်ပါ။ အီလက်ထရွန်အလင်းတန်း အပူပေးခြင်းနှင့် လေဆာအပူပေးခြင်းများသည် ခုခံမှုအပူပေးခြင်း၏ ချို့ယွင်းချက်များကို ကျော်လွှားနိုင်သည်။ အီလက်ထရွန်အလင်းတန်း အပူပေးခြင်းတွင်၊ စူးစိုက်ထားသော အီလက်ထရွန်အလင်းတန်းကို ဗုံးကြဲထားသည့်အရာအား တိုက်ရိုက်အပူပေးရန်အတွက် အသုံးပြုပြီး အီလက်ထရွန်အလင်းတန်း၏ အရွေ့စွမ်းအင်သည် အရာဝတ္ထုကို အငွေ့ပျံစေသည့် အပူစွမ်းအင်ဖြစ်လာသည်။ လေဆာအပူပေးခြင်းသည် စွမ်းအားမြင့်လေဆာကို အပူပေးသည့်ရင်းမြစ်အဖြစ် အသုံးပြုသော်လည်း ပါဝါမြင့်မားသောလေဆာ၏ ကုန်ကျစရိတ်မြင့်မားမှုကြောင့် လက်ရှိတွင် သုတေသနဓာတ်ခွဲခန်းအနည်းငယ်တွင်သာ အသုံးပြုနိုင်သည်။
Sputtering နည်းပညာသည် vacuum evaporation နည်းပညာနှင့် ကွဲပြားသည်။ “Sputtering” ဆိုသည်မှာ အမှုန်အမွှားများသည် အစိုင်အခဲ မျက်နှာပြင် (ပစ်မှတ်) ကို ဗုံးကြဲပြီး မျက်နှာပြင်မှ အစိုင်အခဲ အက်တမ်များ သို့မဟုတ် မော်လီကျူးများကို ပစ်လွှတ်သည့် ဖြစ်စဉ်ကို ရည်ညွှန်းသည်။ ထုတ်လွှတ်သောအမှုန်အများစုသည် အက်တမ်အခြေအနေတွင်ရှိပြီး၊ မကြာခဏ sputtered atoms ဟုခေါ်သည်။ ပစ်မှတ်ကို ဗုံးကြဲရာတွင် အသုံးပြုသည့် ကွဲအက်နေသော အမှုန်များသည် အီလက်ထရွန်၊ အိုင်းယွန်း သို့မဟုတ် ကြားနေအမှုန်များ ဖြစ်နိုင်သည်။ အိုင်းယွန်းများသည် လိုအပ်သော အရွေ့စွမ်းအင်ကိုရရှိရန် လျှပ်စစ်စက်ကွင်းအောက်တွင် အရှိန်မြှင့်ရန် လွယ်ကူသောကြောင့် အများစုမှာ အိုင်းယွန်းများကို ဗုံးကြဲထားသော အမှုန်များအဖြစ် အသုံးပြုကြသည်။ Sputtering process သည် glow discharge ကို အခြေခံ၍ ဆိုလိုသည်မှာ sputtering ions သည် gas discharge မှ ဆင်းသက်လာခြင်းဖြစ်သည်။ မတူညီသော sputtering နည်းပညာများသည် မတူညီသော glow discharge modes ကို လက်ခံပါသည်။ DC diode sputtering သည် DC glow discharge ကိုအသုံးပြုသည်။ Triode sputtering သည် ပူသော cathode ဖြင့် ပံ့ပိုးပေးသော တောက်ပသော ထွက်လာခြင်း ဖြစ်သည်။ RF sputtering သည် RF glow discharge ကိုအသုံးပြုသည်။ Magnetron sputtering သည် annular magnetic field မှ ထိန်းချုပ်ထားသော တောက်ပသော ထွက်လာခြင်း ဖြစ်သည်။
လေဟာနယ်အငွေ့ပျံခြင်းအလွှာနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက sputtering coating တွင် အားသာချက်များစွာရှိသည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ အထူးသဖြင့် အရည်ပျော်မှတ်နှင့် အငွေ့ဖိအားနည်းသော ဒြပ်စင်များနှင့် ဒြပ်ပေါင်းများကို ပေါက်ကွဲစေနိုင်သည်။ sputtered film နှင့် substrate အကြား တွယ်တာမှုကောင်းသည်။ မြင့်မားသောရုပ်ရှင်သိပ်သည်းဆ; ဖလင်အထူကို ထိန်းထားနိုင်ပြီး ထပ်တလဲလဲ အားကောင်းသည်။ အားနည်းချက်မှာ စက်ပစ္စည်းများသည် ရှုပ်ထွေးပြီး ဗို့အားမြင့်ကိရိယာများ လိုအပ်သောကြောင့် ဖြစ်သည်။
ထို့အပြင်၊ ရေငွေ့ပျံခြင်းနည်းလမ်းနှင့် sputtering နည်းလမ်းတို့ကို ပေါင်းစပ်ခြင်းသည် အိုင်းယွန်းဖြင့် ပေါင်းခြင်း ဖြစ်သည်။ ဤနည်းလမ်း၏ အားသာချက်မှာ ရရှိလာသော ဖလင်သည် အလွှာများနှင့် ခိုင်ခံ့သော ကပ်နိုင်မှု၊ သိုလှောင်မှုနှုန်း မြင့်မားပြီး ဖလင်သိပ်သည်းဆ မြင့်မားခြင်းကြောင့် ဖြစ်သည်။
စာတိုက်အချိန်- ဇူလိုင်-၂၀-၂၀၂၂