ကျွန်ုပ်တို့၏ဝဘ်ဆိုဒ်များမှကြိုဆိုပါသည်။

Molybdenum sputtering ပစ်မှတ်ပစ္စည်း၏လျှောက်လွှာနယ်ပယ်

Molybdenum သည် သံနှင့်သံမဏိလုပ်ငန်းတွင် အဓိကအသုံးပြုသည့် သတ္တုဒြပ်စင်တစ်ခုဖြစ်ပြီး အများစုမှာ သံမဏိပြုလုပ်ခြင်း သို့မဟုတ် သွန်းသံတွင် တိုက်ရိုက်အသုံးပြုကြပြီး အစိတ်အပိုင်းအနည်းငယ်ကို ferro molybdenum အဖြစ် အရည်ပျော်ပြီးနောက် သံမဏိတွင် အသုံးပြုသည်။ လုပ်နေပါတယ်။ ၎င်းသည် သတ္တုစပ်၏ ခိုင်ခံ့မှု၊ မာကျောမှု၊ ပေါင်းစည်းနိုင်မှုနှင့် ခိုင်ခံ့မှုကို မြှင့်တင်ပေးနိုင်ရုံသာမက ၎င်း၏ မြင့်မားသော အပူချိန်နှင့် သံချေးတက်မှုကို ခံနိုင်ရည်ကိုလည်း တိုးမြှင့်ပေးနိုင်သည်။ ဒါဆို ဘယ်နယ်ပယ်တွေမှာ molybdenum sputtering ပစ်မှတ်တွေကို အသုံးပြုသလဲ။ အောက်ပါတို့ကို RSM အယ်ဒီတာထံမှ မျှဝေပါသည်။

https://www.rsmtarget.com/

  Molybdenum sputtering ပစ်မှတ်ပစ္စည်းကို အသုံးပြုခြင်း။

အီလက်ထရွန်နစ်စက်မှုလုပ်ငန်းတွင်၊ molybdenum sputtering ပစ်မှတ်ကို ပြားချပ်ချပ်ပြကွက်၊ ပါးလွှာသော ဖလင်ဆိုလာဆဲလ်လျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့် ဝါယာကြိုးပစ္စည်းနှင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း အတားအဆီးများတွင် အဓိကအသုံးပြုသည်။ ၎င်းတို့သည် မိုလစ်ဘဒင်နမ်၏ မြင့်မားသော အရည်ပျော်မှတ်၊ မြင့်မားသောလျှပ်စစ်စီးကူးမှု၊ တိကျသော impedance နည်းပါးမှု၊ ပိုမိုကောင်းမွန်သော သံချေးတက်မှုနှင့် ပတ်ဝန်းကျင် စွမ်းဆောင်ရည် ကောင်းမွန်မှုတို့ကို အခြေခံထားသည်။

Molybdenum သည် ခရိုမီယမ်နှင့် နှိုင်းယှဉ်ကာ ပတ်ဝန်းကျင် ညစ်ညမ်းမှု မရှိသော impedance နှင့် film stress ၏ 1/2 သာ အားသာချက်များကြောင့် ပြားချပ်ချပ်ပြကွက်များ၏ ပစ်မှတ်ကို sputtering ပြုလုပ်ရန် ဦးစားပေးပစ္စည်းများထဲမှ တစ်ခုဖြစ်သည်။ ထို့အပြင် LCD အစိတ်အပိုင်းများတွင် molybdenum ကိုအသုံးပြုခြင်းသည် တောက်ပမှု၊ ဆန့်ကျင်ဘက်၊ အရောင်နှင့် အသက်တာတို့တွင် LCD ၏စွမ်းဆောင်ရည်ကို များစွာတိုးတက်စေနိုင်သည်။

flat panel display လုပ်ငန်းတွင်၊ molybdenum sputtering ပစ်မှတ်၏ အဓိကစျေးကွက်အသုံးချမှုတစ်ခုမှာ TFT-LCD ဖြစ်သည်။ စျေးကွက်သုတေသနပြုချက်အရ လာမည့်နှစ်အနည်းငယ်အတွင်း LCD ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှု၏ အထွတ်အထိပ်ဖြစ်လာမည်ဖြစ်ပြီး နှစ်စဉ်တိုးတက်မှုနှုန်းမှာ 30% ရှိကြောင်း သိရသည်။ LCD ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုနှင့်အတူ၊ LCD sputtering ပစ်မှတ်သုံးစွဲမှုသည်လည်း နှစ်စဉ်တိုးနှုန်း 20% ဖြင့် လျင်မြန်စွာ တိုးလာပါသည်။ 2006 ခုနှစ်တွင် ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ molybdenum sputtering ပစ်မှတ်ပစ္စည်းအတွက် ဝယ်လိုအားမှာ 700T ခန့်ဖြစ်ပြီး 2007 ခုနှစ်တွင် 900T ခန့်ရှိခဲ့သည်။

ပြားချပ်ချပ် မျက်နှာပြင်ပြသခြင်း လုပ်ငန်းအပြင် စွမ်းအင်စက်မှုလုပ်ငန်းအသစ် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်လာမှုနှင့်အတူ၊ ပါးလွှာသော ဖလင်ဆိုလာ ဖိုတိုဗိုတယ်တစ်ဆဲလ်များတွင် မိုလီဘဒင်နမ် sputtering ပစ်မှတ်ကို အသုံးချမှု တိုးလာပါသည်။ CIGS (Cu indium Gallium Selenium) ပါးလွှာသော ဖလင်ဘက်ထရီ လျှပ်ကူးပစ္စည်း အလွှာကို sputtering ဖြင့် molybdenum sputtering ပစ်မှတ်ပေါ်တွင် ဖွဲ့စည်းထားသည်။


တင်ချိန်- ဇူလိုင် ၁၆-၂၀၂၂