Ge/SiGe कपल्ड क्वांटम वेल्समध्ये जायंट इलेक्ट्रो-ऑप्टिकल प्रभाव

सिलिकॉन-आधारित फोटोनिक्स हे सध्या एम्बेडेड कम्युनिकेशन्ससाठी पुढील पिढीचे फोटोनिक्स प्लॅटफॉर्म मानले जाते. तथापि, कॉम्पॅक्ट आणि कमी पॉवर ऑप्टिकल मॉड्युलेटर्सचा विकास एक आव्हान आहे. येथे आम्ही Ge/SiGe जोडलेल्या क्वांटम विहिरींमध्ये एका विशाल इलेक्ट्रो-ऑप्टिकल प्रभावाचा अहवाल देतो. हा आश्वासक परिणाम इलेक्ट्रॉन्स आणि जोडलेल्या Ge/SiGe क्वांटम विहिरींमध्ये वेगळ्या बंदिवासामुळे विसंगत क्वांटम स्टार्क प्रभावावर आधारित आहे. सिलिकॉन फोटोनिक्समध्ये आतापर्यंत विकसित केलेल्या मानक पद्धतींच्या तुलनेत प्रकाश मॉड्युलेटर्सच्या कार्यप्रदर्शनात लक्षणीय सुधारणा करण्यासाठी या घटनेचा वापर केला जाऊ शकतो. आम्ही 0.046 Vcm च्या संबंधित मॉड्यूलेशन कार्यक्षमता VπLπ सह 1.5 V च्या बायस व्होल्टेजवर 2.3 × 10-3 पर्यंत अपवर्तक निर्देशांकातील बदल मोजले आहेत. हे प्रात्यक्षिक Ge/SiGe मटेरियल सिस्टमवर आधारित कार्यक्षम हाय-स्पीड फेज मॉड्युलेटर्सच्या विकासाचा मार्ग मोकळा करते.