Олон хэрэглэгчид шүрших зорилтот бүтээгдэхүүний талаар сонссон байх ёстой, гэхдээ цацах зорилтын зарчим нь харьцангуй танил биш байх ёстой. Одоо, редакторБаян тусгай материал(RSM) цацах зорилтын магнетрон цацах зарчмуудыг хуваалцдаг.
Шүршсэн зорилтот электрод (катод) ба анодын хооронд ортогональ соронзон орон ба цахилгаан орон нэмэгдэж, шаардлагатай инертийн хий (ерөнхийдөө Ar хий) өндөр вакуум камерт дүүргэгдэж, байнгын соронз нь 250 ~ 350 Гауссын соронзон орон үүсгэдэг. зорилтот өгөгдлийн гадаргуу, мөн ортогональ цахилгаан соронзон орон нь өндөр хүчдэлийн цахилгаанаар үүсдэг. талбар.
Цахилгаан талбайн нөлөөгөөр Ар хий нь эерэг ион ба электрон болж ионждог. Зорилтот дээр тодорхой сөрөг өндөр хүчдэл нэмэгддэг. Зорилтот туйлаас ялгарах электронуудад соронзон орны нөлөөлөл, ажлын хийн иончлох магадлал нэмэгдэж, катодын ойролцоо өндөр нягтралтай плазм үүсгэдэг. Лоренцын хүчний нөлөөн дор Ar ионууд зорилтот гадаргуу руу хурдасч, зорилтот гадаргууг маш өндөр хурдтайгаар бөмбөгддөг, бай дээр цацагдсан атомууд нь импульс хувиргах зарчмыг дагаж, зорилтот гадаргуугаас өндөр кинетик энергитэй субстрат руу нисдэг. кинонуудыг хадгалуулах.
Магнетрон цацалтыг ерөнхийд нь хоёр төрөлд хуваадаг: Царцсан шүрших, RF цацах. Цутгамал шүрших төхөөрөмжийн зарчим нь энгийн бөгөөд метал цацах үед хурд нь бас хурдан байдаг. RF цацах нь өргөн хэрэглэгддэг. Энэ нь дамжуулагч материалыг цацахаас гадна дамжуулдаггүй материалыг цацаж болно. Үүний зэрэгцээ исэл, нитрид, карбид болон бусад нэгдлүүдийн материалыг бэлтгэхийн тулд реактив шүрших ажлыг гүйцэтгэдэг. Хэрэв RF-ийн давтамж нэмэгдвэл энэ нь богино долгионы плазмын цацралт болно. Одоо электрон циклотрон резонансын (ECR) богино долгионы плазмын цацалтыг ихэвчлэн ашигладаг.
Шуудангийн цаг: 2022-05-31