Polisilīcija ir svarīgs izsmidzināšanas mērķa materiāls. Izmantojot magnetrona izsmidzināšanas metodi SiO2 un citu plānu kārtiņu sagatavošanai, matricas materiālam var būt labāka optiskā, dielektriskā un korozijas izturība, ko plaši izmanto skārienekrāna, optiskajā un citās nozarēs.
Garo kristālu liešanas process ir pakāpeniski realizēt šķidrā silīcija sacietēšanu no apakšas uz augšu, precīzi kontrolējot sildītāja temperatūru lietņu krāsns karstajā laukā un siltumizolācijas materiāla siltuma izkliedi, kā arī garo kristālu sacietēšanas ātrums ir 0,8–1,2 cm/h. Tajā pašā laikā virziena sacietēšanas procesā var realizēt metāla elementu segregācijas efektu silīcija materiālos, var attīrīt lielāko daļu metāla elementu un izveidot vienotu polikristāliska silīcija graudu struktūru.
Ražošanas procesā polisilīcija liešana arī ir tīši jāleģē, lai mainītu akceptora piemaisījumu koncentrāciju silīcija kausējumā. Galvenā p-tipa lietā polisilīcija piedeva rūpniecībā ir silīcija bora sakausējums, kurā bora saturs ir aptuveni 0,025%. Dopinga daudzumu nosaka silīcija vafeles mērķa pretestība. Optimālā pretestība ir 0,02 ~ 0,05 Ω • cm, un atbilstošā bora koncentrācija ir aptuveni 2 × 1014 cm-3。 Tomēr bora segregācijas koeficients silīcijā ir 0,8, kas parādīs noteiktu segregācijas efektu virziena sacietēšanas procesā, ka ir, bora elements tiek sadalīts gradientā lietņa vertikālajā virzienā, un pretestība pakāpeniski samazinās no plkst. no lietņa apakšas līdz augšai.
Publicēšanas laiks: 26. jūlijs 2022