Uz silīciju balstīta fotonika pašlaik tiek uzskatīta par nākamās paaudzes fotonikas platformu iegultiem sakariem. Tomēr kompaktu un mazjaudas optisko modulatoru izstrāde joprojām ir izaicinājums. Šeit mēs ziņojam par milzīgu elektrooptisko efektu Ge / SiGe savienotajās kvantu akās. Šis daudzsološais efekts ir balstīts uz anomālo kvantu Stārka efektu, kas saistīts ar atsevišķu elektronu un caurumu ieslodzījumu savienotajās Ge / SiGe kvantu iedobēs. Šo parādību var izmantot, lai ievērojami uzlabotu gaismas modulatoru veiktspēju salīdzinājumā ar standarta pieejām, kas līdz šim izstrādātas silīcija fotonikā. Mēs esam izmērījuši refrakcijas indeksa izmaiņas līdz 2, 3 × 10-3 pie nobīdes sprieguma 1, 5 V ar atbilstošu modulācijas efektivitāti VπLπ 0, 046 Vcm. Šī demonstrācija paver ceļu efektīvu ātrgaitas fāzes modulatoru izstrādei, kuru pamatā ir Ge/SiGe materiālu sistēmas.
Izlikšanas laiks: jūnijs 06-2023