ຍິ່ງໄປກວ່ານັ້ນ, ຍ້ອນວ່າພວກເຂົາໄດ້ສະແດງຢູ່ໃນເອກະສານ "ການປ່ອຍອາຍພິດ bandgap ໂດຍກົງຈາກ germanium hexagonal ແລະໂລຫະປະສົມ silicon-germanium" ຈັດພີມມາຢູ່ໃນວາລະສານທໍາມະຊາດ, ເຂົາເຈົ້າສາມາດ. ຄວາມຍາວຂອງຄື້ນລັງສີແມ່ນສາມາດປັບໄດ້ຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງໃນໄລຍະກວ້າງ. ອີງຕາມພວກເຂົາ, ການຄົ້ນພົບໃຫມ່ເຫຼົ່ານີ້ສາມາດອະນຸຍາດໃຫ້ການພັດທະນາ chip photonic ໂດຍກົງໃນວົງຈອນປະສົມປະສານ silicon-germanium.
ກຸນແຈສໍາຄັນໃນການປ່ຽນໂລຫະປະສົມ SiGe ເຂົ້າໄປໃນຕົວປ່ອຍແບນ gap ໂດຍກົງແມ່ນການໄດ້ຮັບໂລຫະປະສົມ germanium ແລະ germanium-silicon ທີ່ມີໂຄງສ້າງເສັ້ນໄຍ hexagonal. ນັກຄົ້ນຄວ້າທີ່ມະຫາວິທະຍາໄລເທກນິກຂອງ Eindhoven, ຮ່ວມກັບເພື່ອນຮ່ວມງານຈາກມະຫາວິທະຍາໄລເຕັກນິກຂອງ Munich ແລະມະຫາວິທະຍາໄລຂອງ Jena ແລະ Linz, ໄດ້ໃຊ້ nanowires ທີ່ເຮັດຈາກວັດສະດຸທີ່ແຕກຕ່າງກັນເປັນແມ່ແບບສໍາລັບການເຕີບໂຕຂອງ hexagonal.
nanowires ຫຼັງຈາກນັ້ນເຮັດຫນ້າທີ່ເປັນແມ່ແບບສໍາລັບແກະ germanium-silicon ທີ່ວັດສະດຸພື້ນຖານ imposes ໂຄງສ້າງໄປເຊຍກັນ hexagonal. ຢ່າງໃດກໍຕາມ, ໃນເບື້ອງຕົ້ນ, ໂຄງສ້າງເຫຼົ່ານີ້ບໍ່ສາມາດຕື່ນເຕັ້ນທີ່ຈະປ່ອຍແສງສະຫວ່າງ. ຫຼັງຈາກການແລກປ່ຽນແນວຄວາມຄິດກັບເພື່ອນຮ່ວມງານຢູ່ສະຖາບັນ Walther Schottky ທີ່ມະຫາວິທະຍາໄລເຕັກນິກຂອງ Munich, ພວກເຂົາໄດ້ວິເຄາະຄຸນສົມບັດ optical ຂອງແຕ່ລະລຸ້ນແລະໃນທີ່ສຸດກໍ່ໄດ້ປັບປຸງຂະບວນການຜະລິດໄປສູ່ຈຸດທີ່ nanowires ສາມາດປ່ອຍແສງສະຫວ່າງໄດ້.
ສາດສະດາຈານ Erik Bakkers ຈາກມະຫາວິທະຍາໄລເທກໂນໂລຍີ Eindhoven ກ່າວວ່າ "ໃນເວລາດຽວກັນ, ພວກເຮົາບັນລຸໄດ້ປະສິດທິພາບເກືອບທຽບກັບ indium phosphide ຫຼື gallium arsenide,". ດັ່ງນັ້ນ, ການສ້າງເລເຊີໂດຍອີງໃສ່ໂລຫະປະສົມ germanium-silicon ທີ່ສາມາດປະສົມປະສານເຂົ້າໃນຂະບວນການຜະລິດແບບດັ້ງເດີມອາດຈະເປັນເວລາເທົ່ານັ້ນ.
ທ່ານ Jonathan Finley, ສາດສະດາຈານຂອງ semiconductor quantum nanosystems ຢູ່ TUM ກ່າວວ່າ "ຖ້າພວກເຮົາສາມາດ optically ສະຫນອງການສື່ສານເອເລັກໂຕຣນິກພາຍໃນແລະລະຫວ່າງ chip, ຄວາມໄວອາດຈະເພີ່ມຂຶ້ນໂດຍປັດໃຈ 1,000". ສາມາດຫຼຸດລົງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍຂອງເລເຊີ radars, ເຊັນເຊີເຄມີສໍາລັບການວິນິດໄສທາງການແພດ, ແລະຊິບສໍາລັບການວັດແທກຄຸນນະພາບອາກາດແລະອາຫານ."
ໂລຫະປະສົມ silicon germanium melted ໂດຍບໍລິສັດຂອງພວກເຮົາສາມາດຍອມຮັບອັດຕາສ່ວນທີ່ກໍາຫນົດເອງ
ເວລາປະກາດ: 21-06-2023