D'Zil huet vill Funktiounen an eng breet Uwendungen a ville Beräicher. Déi nei Sputterausrüstung benotzt bal mächteg Magnete fir d'Elektronen ze spiraléieren fir d'Ioniséierung vum Argon ronderëm d'Zil ze beschleunegen, wat d'Wahrscheinlechkeet vun enger Kollisioun tëscht dem Zil an Argonionen erhéicht,
Erhéije d'Sputterrate. Allgemeng gëtt DC Sputtering fir Metallbeschichtung benotzt, während RF Kommunikatioun Sputtering fir net-leitend keramik magnetesch Materialien benotzt gëtt. De Basisprinzip ass d'Glühungsentladung ze benotzen fir Argon (AR) Ionen op der Uewerfläch vum Zil am Vakuum ze schloen, an d'Katioune am Plasma beschleunegen fir op déi negativ Elektroden Uewerfläch ze rennen wéi dat gesprëtzt Material. Dësen Impakt wäert d'Material vum Zil ausfliegen an op de Substrat deposéieren fir e Film ze bilden.
Am Allgemengen sinn et e puer Features vun der Filmbeschichtung mam Sputterprozess:
(1) Metall, Legierung oder Isolator kënnen an dënn Filmdaten gemaach ginn.
(2) Ënner passenden Astellungsbedéngungen kann de Film mat der selweschter Zesummesetzung aus multiple a gestéiert Ziler gemaach ginn.
(3) D'Mëschung oder d'Verbindung vun Zilmaterial a Gasmoleküle kann gemaach ginn andeems Sauerstoff oder aner aktive Gase an der Entladungsatmosphär bäigefüügt ginn.
(4) Den Zilinputstroum an d'Sputterzäit kënne kontrolléiert ginn, an et ass einfach héich Präzisioun Filmdicke ze kréien.
(5) Et ass gutt fir d'Produktioun vun anere Filmer.
(6) Déi sputtered Partikel si kaum vun der Schwéierkraaft beaflosst, an d'Zil an de Substrat kënne fräi organiséiert ginn.
Post Zäit: Mee-24-2022