Iwwert d'Applikatioun an de Prinzip vun Sputtering Zil- Technologie, hunn e puer Clienten RSM konsultéiert, elo fir dëse Problem, datt méi besuergt iwwer , technesch Experten deelen e puer spezifesch Zesummenhang Wëssen.
Sputtering Zil Applikatioun:
Opluede Partikelen (wéi Argon-Ionen) bombardéieren eng zolidd Uewerfläch, wouduerch Uewerflächepartikelen, wéi Atomer, Molekülen oder Bündelen aus der Uewerfläch vum Objet-Phänomen flüchten, genannt "Sputter". Bei der Magnetron-Sputterbeschichtung ginn déi positiv Ionen, déi duerch Argonioniséierung generéiert ginn, normalerweis benotzt fir de Feststoff (Zil) ze bombardéieren, an déi gesputtert neutral Atomer ginn op de Substrat (Werkstéck) deposéiert fir eng Filmschicht ze bilden. Magnetron Sputterbeschichtung huet zwee Charakteristiken: "niddereg Temperatur" a "schnell".
Magnetron Sputtering Prinzip:
En orthogonal Magnéitfeld an elektrescht Feld ginn tëscht dem sputtered Zilpol (Kathode) an der Anode bäigefüügt, an den erfuerderlechen Inertgas (normalerweis Ar Gas) gëtt an der Héichvakuumkammer gefëllt. De permanente Magnéit formt e 250-350 Gauss Magnéitfeld op der Uewerfläch vum Zilmaterial, a bildt en orthogonal elektromagnéitescht Feld mam Héichspannungselektrescht Feld.
Ënnert der Handlung vum elektresche Feld gëtt Ar Gas a positiv Ionen an Elektronen ioniséiert, an et gëtt e gewëssen negativen Héichdrock um Zil, sou datt d'Elektronen, déi aus dem Zilpol emittéiert sinn, vum Magnéitfeld an der Ioniséierungswahrscheinlechkeet vun der Aarbecht beaflosst ginn. Gas vergréissert. En Héich-Dicht Plasma gëtt no bei der Kathode geformt, an Ar-Ionen beschleunegen op d'Zielfläch ënner der Handlung vun der Lorentz Kraaft a bombardéieren d'Zilfläche mat héijer Geschwindegkeet, sou datt déi gesputtert Atomer um Zil vun der Zilfläch mat héijer Flucht entkommen. kinetesch Energie a fléien op de Substrat fir e Film no dem Prinzip vun der Dynamikkonversioun ze bilden.
Magnetron Sputtering ass allgemeng an zwou Aarte opgedeelt: DC Sputtering an RF Sputtering. De Prinzip vun DC Sputtering Ausrüstung ass einfach, an den Taux ass séier wann Dir Metall sputtert. D'Benotzung vu RF-Sputtering ass méi extensiv, nieft der Sputtering vun konduktiven Materialien, awer och Sputtering net-leitend Materialien, awer och reaktiv Sputtering Virbereedung vun Oxiden, Nitriden a Karbiden an aner Verbindungsmaterialien. Wann d'Frequenz vum RF eropgeet, gëtt et Mikrowelle Plasma Sputtering. Am Moment gëtt Elektronen Cyclotron Resonanz (ECR) Typ Mikrowelle Plasma Sputtering allgemeng benotzt.
Post Zäit: Aug-01-2022