D'Zil huet vill Effekter, an de Maartentwécklungsraum ass grouss. Et ass ganz nëtzlech a ville Beräicher. Bal all nei Sputterausrüstung benotze mächteg Magnete fir Elektronen ze spiraliséieren fir d'Ioniséierung vum Argon ronderëm d'Zil ze beschleunegen, wat zu enger Erhéijung vun der Wahrscheinlechkeet vun der Kollisioun tëscht dem Zil an Argonionen resultéiert. Loosst eis elo d'Roll vum Sputterziel an der Vakuumbeschichtung kucken.
Verbessert de Sputterrate. Allgemeng gëtt DC Sputtering fir Metallbeschichtung benotzt, während RF AC Sputtering fir net-leitend keramesch magnetesch Materialien benotzt gëtt. De Grondprinzip ass d'Glühfrëndung ze benotzen fir Argon (AR) Ionen op der Uewerfläch vum Zil am Vakuum ze schloen, an d'Kationen am Plasma beschleunegen sech op déi negativ Elektroden Uewerfläch ze rennen wéi dat gesprëtzt Material. Dësen Impakt wäert d'Material vum Zil ausfliegen an op de Substrat deposéieren fir e Film ze bilden.
Allgemeng sinn et e puer Charakteristike vu Filmbeschichtung duerch Sputterprozess: (1) Metall, Legierung oder Isolator kënnen a Filmdaten gemaach ginn.
(2) Ënner passenden Astellungsbedéngungen kann de Film mat der selweschter Zesummesetzung aus multiple a gestéiert Ziler gemaach ginn.
(3) D'Mëschung oder d'Verbindung vun Zilmaterial a Gasmoleküle kann produzéiert ginn andeems Sauerstoff oder aner aktive Gase an der Entladungsatmosphär bäigefüügt ginn.
(4) Den Zilinputstroum an d'Sputterzäit kënne kontrolléiert ginn, an et ass einfach héich Präzisioun Filmdicke ze kréien.
(5) Am Verglach mat anere Prozesser ass et fir d'Produktioun vu grousser Fläch eenheetleche Filmer förderlech.
(6) Déi sputtered Partikel si bal net vun der Schwéierkraaft beaflosst, an d'Positioune vum Zil a Substrat kënne fräi arrangéiert ginn.
Post Zäit: Mee-17-2022