Wéi mir all wëssen, sinn d'Methoden déi allgemeng an der Vakuumbeschichtung benotzt ginn Vakuumtranspiratioun an Ionensputtering. Wat ass den Ënnerscheed tëscht Transpiratiounsbeschichtung a Sputterbeschichtung VillLeit hunn esou Froen. Loosst eis mat Iech den Ënnerscheed tëscht Transpiratiounsbeschichtung a Sputterbeschichtung deelen
Vakuum Transpiratiounsfilm ass d'Erhëtzung vun den Daten fir Transpiratioun op eng fix Temperatur duerch Resistenzheizung oder Elektronenstrahl a Laserbeschichtung an engem Ëmfeld mat engem Vakuumgrad vun net manner wéi 10-2Pa, sou datt d'thermesch Schwéngungsenergie vu Molekülen oder Atomer an den Daten iwwerschreiden d'Bindungsenergie vun der Uewerfläch, sou datt vill Molekülen oder Atomer transpiréieren oder eropgoen, an se direkt op de Substrat deposéieren fir eng film. Ion Sputtering Beschichtung benotzt déi héich Remonstranzbewegung vu positiven Ionen, déi duerch Gasentladung ënner dem Effekt vum elektresche Feld generéiert ginn, fir d'Zil als d'Kathode ze bombardéieren, sou datt d'Atomer oder Molekülen am Zil entkommen an op der Uewerfläch vum placéiertem Werkstéck deposéieren fir ze bilden déi néideg Film.
Déi meescht benotzt Method fir Vakuumtranspiratiounsbeschichtung ass Resistenzheizungsmethod. Seng Virdeeler sinn déi einfach Struktur vun Heizung Quell, niddreg Käschten a praktesch Operatioun. Seng Nodeeler sinn datt et net gëeegent ass fir refractaire Metaller an héich Temperaturbeständeg Medien. Elektronenstrahlheizung a Laserheizung kënnen d'Nodeeler vun der Resistenzheizung iwwerwannen. Bei der Elektronenstrahlheizung gëtt de fokusséierte Elektronenstrahl benotzt fir direkt déi geschuelte Donnéeën z'erhëtzen, an d'kinetesch Energie vum Elektronenstrahl gëtt Hëtztenergie fir d'Datentranspiratioun ze maachen. Laserheizung benotzt High-Power Laser als Heizquell, awer wéinst den héije Käschte vum High-Power Laser kann et nëmmen an enger klenger Zuel vu Fuerschungslaboratoiren benotzt ginn.
Sputtering Fäegkeet ass anescht wéi Vakuum Transpiratioun Fäegkeet. Sputtering bezitt sech op d'Phänomen datt gelueden Partikelen zréck op d'Uewerfläch (Zil) vum Kierper bombardéieren, sou datt fest Atomer oder Molekülle vun der Uewerfläch emittéiert ginn. Déi meescht vun den emittéierte Partikele sinn atomar, wat dacks sputtered Atomer genannt gëtt. Sputtered Partikel, déi fir Ziler beschoss ginn, kënnen Elektronen, Ionen oder neutral Partikelen sinn. Well Ionen einfach déi erfuerderlech kinetesch Energie ënner elektrescht Feld kréien, ginn d'Ionen meeschtens als Shellpartikel ausgewielt.
De Sputterprozess baséiert op Glühungsentladung, dat heescht, d'Sputterione kommen aus Gasentladung. Verschidde Sputteringfäegkeeten hu verschidde Glühflussmethoden. DC Diode Sputtering benotzt DC Glow Offlossquantitéit; Triode Sputtering ass e Glühfluss vun der waarmer Kathode ënnerstëtzt; RF Sputtering benotzt RF Glow Offlossquantitéit; Magnetron-Sputtering ass eng Glüh-Entladung kontrolléiert duerch en annular Magnéitfeld.
Am Verglach mat Vakuumtranspiratiounsbeschichtung huet d'Sputterbeschichtung vill Virdeeler. Wann iergendeng Substanz sputtere kann, besonnesch Elementer a Verbindungen mat héije Schmelzpunkt an nidderegen Dampdrock; D'Haftung tëscht Sputterfilm a Substrat ass gutt; héich Film Dicht; D'Filmdicke kann kontrolléiert ginn an d'Wiederholbarkeet ass gutt. Den Nodeel ass datt d'Ausrüstung komplex ass an Héichspannungsapparater erfuerdert.
Zousätzlech ass d'Kombinatioun vun der Transpiratiounsmethod a Sputtermethod Ionbeschichtung. D'Virdeeler vun dëser Method sinn staark Adhäsioun tëscht dem Film an dem Substrat, héich Oflagerungsquote an héich Dicht vum Film.
Post Zäit: Mee-09-2022