Mat der Verbesserung vum Liewensstandard vun de Leit an der kontinuéierlecher Entwécklung vun der Wëssenschaft an der Technologie, hunn d'Leit ëmmer méi héich Ufuerderunge fir d'Leeschtung vu verschleißbeständeg, korrosionsbeständeg an héijer Temperaturbeständeg Dekoratiounsbeschichtungsprodukter. Natierlech kann d'Beschichtung och d'Faarf vun dësen Objeten verschéineren. Dann, wat ass den Ënnerscheed tëscht der Behandlung vun Elektropletterungsziel a Sputterziel? Loosst d'Experten vum Technology Department vun RSM et fir Iech erklären.
Electroplating Zil
De Prinzip vun der Elektroplatéierung ass konsequent mat deem vum elektrolytesche Raffinéierungskoffer. Beim Elektroplatéiere gëtt den Elektrolyt, deen d'Metallionen vun der Plackschicht enthält, allgemeng benotzt fir d'Platéierungsléisung ze preparéieren; Daucht d'Metallprodukt an d'Platéierungsléisung an d'Verbindung mat der negativer Elektrode vun der DC Stroumversuergung als Kathode; De Beschichtete Metall gëtt als Anode benotzt a mat der positiver Elektrode vun der DC Stroumversuergung verbonnen. Wann de Low-Volt DC Stroum applizéiert gëtt, léist d'Anodemetall an der Léisung op a gëtt zu engem Kation a bewegt sech an d'Kathode. Dës Ionen kréien Elektronen an der Kathode a ginn op Metall reduzéiert, dat op d'Metallprodukter bedeckt ass, déi gepflanzt ginn.
Sputtering Zil
De Prinzip ass haaptsächlech d'Glühungsentladung ze benotzen fir Argonionen op der Ziloberfläche ze bombardéieren, an d'Atomer vum Zil ginn ausgestouss an op d'Substrat Uewerfläch deposéiert fir en dënnen Film ze bilden. D'Eegeschafte an d'Uniformitéit vu gesputterte Filmer si besser wéi déi vu vapor deposéierte Filmer, awer d'Oflagerungsgeschwindegkeet ass vill méi lues wéi déi vun vapor deposéierte Filmer. Nei Sputterausrüstung benotzt bal staark Magnete fir Elektronen ze spiraliséieren fir d'Ioniséierung vum Argon ronderëm d'Zil ze beschleunegen, wat d'Wahrscheinlechkeet vun enger Kollisioun tëscht dem Zil an Argonionen erhéicht an d'Sputterrate verbessert. Déi meescht vun den Metallplackfilmer sinn DC Sputtering, während déi net-leitend Keramik Magnéitmaterial RF AC Sputtering sinn. De Basisprinzip ass d'Glühungsentladung am Vakuum ze benotzen fir d'Uewerfläch vum Zil mat Argonionen ze bombardéieren. D'Kationen am Plasma wäerte beschleunegen fir op d'negativ Elektroden Uewerfläch ze rennen wéi dat gesputtert Material. Dëst Bombardement wäert d'Zielmaterial ausfléien an op de Substrat deposéieren fir en dënnen Film ze bilden.
Auswiel Critèren vun Zil- Material
(1) D'Zil soll gutt mechanesch Kraaft a chemesch Stabilitéit no Film Formatioun hunn;
(2) De Filmmaterial fir de reaktive Sputterfilm muss einfach sinn fir e Compoundfilm mam Reaktiounsgas ze bilden;
(3) D'Zil an d'Substrat muss fest zesummegesat ginn, soss gëtt de Filmmaterial mat gudder Bindungskraaft mam Substrat ugeholl, an e Bottomfilm gëtt zuerst gesprëtzt, an dann déi néideg Filmschicht preparéiert;
(4) Op der Viraussetzung fir d'Filmleistungsfuerderunge gerecht ze ginn, wat méi kleng ass den Ënnerscheed tëscht dem thermesche Expansiounskoeffizient vum Zil an dem Substrat, wat besser ass, fir den Afloss vum thermesche Stress vum Sputterfilm ze reduzéieren;
(5) Laut der Applikatioun an der Leeschtungsfuerderunge vum Film, muss d'Zil benotzt den techneschen Ufuerderunge vu Rengheet, Gëftstoffgehalt, Komponentuniformitéit, Veraarbechtungsgenauegkeet, etc.
Post Zäit: Aug-12-2022