Wéi mir all wëssen, ass den Entwécklungstrend vun der Zilmaterialtechnologie enk mam Entwécklungstrend vun der Filmtechnologie an der Downstream Uwendungsindustrie verbonnen. Mat der technologescher Verbesserung vu Filmprodukter oder Komponenten an der Applikatiounsindustrie soll d'Ziltechnologie och änneren. Zum Beispill hunn d'IC-Fabrikanten viru kuerzem op d'Entwécklung vu Kupferdrahtung mat enger gerénger Resistivitéit konzentréiert, déi erwaart gëtt den ursprénglechen Aluminiumfilm an den nächste Joren wesentlech ze ersetzen, sou datt d'Entwécklung vu Kupferziler an hir erfuerderlech Barrièreziler dréngend sinn.
Zousätzlech, an de leschte Joeren, huet flaach Panel Display (FPD) gréisstendeels de Cathode-Ray Tube (CRT) -baséiert Computerdisplay an Fernsehmarkt ersat. Et wäert och d'technesch a Maartfuerderung fir ITO Ziler staark erhéijen. An da gëtt et d'Späichertechnologie. D'Nofro fir héich Dicht, grouss Kapazitéit Festplazen an héich Dicht erasable discs geet weider. All dës hunn zu Ännerungen an der Nofro fir Zilmaterialien an der Uwendungsindustrie gefouert. Am folgenden wäerte mir d'Haaptapplikatiounsfelder vum Zil an den Entwécklungstrend vum Zil an dëse Felder aféieren.
1. Mikroelektronik
An all Applikatiounsindustrie huet d'Halleiterindustrie déi strengste Qualitéitsufuerderunge fir Zil-Sputtering Filmer. Silicon Wafers vun 12 Zoll (300 Epistaxis) sinn elo hiergestallt ginn. D'Breet vum Interconnect hëlt erof. D'Ufuerderunge vu Siliziumwafer Hiersteller fir Zilmaterialien si grouss Skala, héich Rengheet, geréng Segregatioun a Feinkorn, wat d'Zilmaterialien erfuerdert fir eng besser Mikrostruktur ze hunn. De kristalline Partikel Duerchmiesser an d'Uniformitéit vum Zilmaterial goufen als Schlësselfaktoren ugesinn, déi de Filmdepositiounsrate beaflossen.
Am Verglach mam Aluminium huet Kupfer méi héich Elektromobilitéitsresistenz a manner Resistivitéit, wat d'Ufuerderunge vun der Dirigenttechnologie an der Submikronverdrahtung ënner 0,25um entsprécht, awer et bréngt aner Probleemer: niddereg Adhäsiounskraaft tëscht Kupfer an organesch Mediummaterialien. Ausserdeem ass et einfach ze reagéieren, wat zu der Korrosioun vum Kupferverbindung an dem Circuitbriechung während der Benotzung vum Chip féiert. Fir dëse Problem ze léisen, sollt eng Barrièreschicht tëscht dem Kupfer an der dielektrescher Schicht gesat ginn.
D'Zilmaterialien, déi an der Barrièreschicht vu Kupferverbindung benotzt ginn, enthalen Ta, W, TaSi, WSi, etc.. Mee Ta a W sinn refractaire Metaller. Et ass relativ schwéier ze maachen, an Legierungen wéi Molybdän a Chrom ginn als alternativ Materialien studéiert.
2. Fir den Affichage
Flaach Panel Display (FPD) huet de Cathode-Ray Tube (CRT) -baséiert Computermonitor an Fernsehmarkt iwwer d'Joren staark beaflosst, a wäert och d'Technologie an d'Maartfuerderung fir ITO Zilmaterialien féieren. Et ginn zwou Zorte vun ITO Ziler haut. Een ass den Nanometerzoustand vun Indiumoxid an Zinnoxidpulver nom Sinteren ze benotzen, deen aneren ass Indium Zinnlegierungsziel ze benotzen. ITO Film kann duerch DC reaktiv sputtering op Indium-Zinn Legierung Zil fabrizéiert ginn, mä d'Zil Uewerfläch wäert oxidize an der sputtering Taux Afloss, an et ass schwéier grouss Gréisst durchgang Zil ze kréien.
Hautdesdaags gëtt déi éischt Method allgemeng ugeholl fir ITO Zilmaterial ze produzéieren, wat sputtering Beschichtung duerch Magnetron Sputtering Reaktioun ass. Et huet eng séier Oflagerung Taux. D'Filmdicke kann präzis kontrolléiert ginn, d'Konduktivitéit ass héich, d'Konsistenz vum Film ass gutt, an d'Adhäsioun vum Substrat ass staark. Awer d'Zielmaterial ass schwéier ze maachen, well Indiumoxid an Zinnoxid sinn net einfach zesummen sinteréiert. Allgemeng ginn ZrO2, Bi2O3 a CeO als Sinteringadditive ausgewielt, an d'Zilmaterial mat enger Dicht vun 93% ~ 98% vum theoretesche Wäert ka kritt ginn. D'Performance vum ITO Film, deen op dës Manéier geformt ass, huet eng super Relatioun mat den Zousatzstoffer.
D'Blockéierungsresistivitéit vum ITO-Film, deen duerch sou Zilmaterial benotzt gëtt, erreecht 8,1 × 10n-cm, wat no der Resistivitéit vu pure ITO-Film ass. D'Gréisst vum FPD a konduktivt Glas ass zimlech grouss, an d'Breet vum konduktive Glas ka souguer 3133 mm erreechen. Fir d'Verwäertung vun Zilmaterialien ze verbesseren, ginn ITO Zilmaterialien mat verschiddene Formen, sou wéi zylindresch Form, entwéckelt. Am Joer 2000 hunn d'National Entwécklungsplanungskommissioun an de Ministère fir Wëssenschaft an Technologie ITO grouss Ziler an de Richtlinnen fir Schlësselberäicher vun der Informatiounsindustrie abegraff déi momentan fir Entwécklung prioritéiert sinn.
3. Stockage benotzen
Wat d'Späichertechnologie ugeet, erfuerdert d'Entwécklung vun héijer Dicht a grousser Kapazitéit Festplacken eng grouss Zuel vu riesegen Oflehnungsfilmmaterialien. De CoF~Cu Multilayer Composite Film ass eng wäit benotzt Struktur vu riesegen Reluktanzfilm. D'TbFeCo Legierung Zilmaterial fir magnetesch Scheif gebraucht ass nach ëmmer an der Entwécklung. D'Magnéitesch Scheif, déi mat TbFeCo hiergestallt gëtt, huet d'Charakteristike vu grousser Späicherkapazitéit, laang Liewensdauer a widderholl net-Kontakt Erasabilitéit.
Antimon Germanium Telluride baséiert Phase Change Memory (PCM) huet bedeitend kommerziell Potenzial gewisen, gëtt Deel NOR Flash Memory an DRAM Maart eng alternativ Späichertechnologie, awer an der Ëmsetzung méi séier ofgeschalt eng vun den Erausfuerderunge op der Strooss ze existéieren ass Mangel un zréckgesat déi aktuell Produktioun kann weider komplett zouene Eenheet erofgesat ginn. D'Reduktioun vum Resetstroum reduzéiert d'Späicherkraaftverbrauch, verlängert d'Batteriedauer, a verbessert d'Datebandbreedung, all wichteg Funktiounen an den haitegen datenzentreschen, héich portable Konsumentengeräter.
Post Zäit: Aug-09-2022