Welcome to our websites!

Technology and Application of High Munditia Tungsten Target

Metalla refractaria et admixtiones tungsten habent commoda stabilitatis caliditatis, resistentia electronico migrationis et electronici altae emissionis coefficientis. Summus pudicitia tungsten et stannum tungsten maxime adhibentur ad portas electrodes fabricandas, nexum wiring, diffusionem obice strata semiconductoris ambitus integrati. Habent altissima exigentias puritatis, immunditiae elementi contenti, densitatis, grani magnitudine et aequabili structura materiae grani. Inspice factores influentes praeparationem summi puritatis tungstenby Rich Special Material Co.,Ltd.

https://www.rsmtarget.com/ 

I. Effectus Sintering Temperature

Processus formans tungsten scopo embryonis fieri solet a pressione isostatic frigida. Tungsten granum in sintering orietur. Augmentum tungsten grani lacunam inter cristalli limites replebit, ita densitatem tungsten scopo augens. Crescente sintering tempore, densitas scopo tungsten aucta sensim retardat. Praecipua ratio est, quia qualitas materiae scopum tungsten non multum mutatum est post varios processuum sintering. Quia pleraeque evacuationes in termino crystalli tungsten crystallis implentur, altiore magnitudine scopo tungsten mutationis rate valde exiguus est post singulas processus sinteringes, quod consequitur in stricto spatio ob densitatem tungsten ad augendum. Procedente sintering, magnae tunicae grana in vacuitates implentur, quae in clypeo densiore minore magnitudine proveniunt.

2. effectus of *hmanducare conservatio Tempus

In eadem sintering temperie, densitas scoparum tungarum materia melioratur cum incremento temporis syntering. Crescente tempore sintering, amplitudo plicarum granorum augetur, et extenso tempore sintering, magnitudo augendi paulatim retardat granum. Ex quo patet quod tempus augens sintering potest etiam ad scopum Tungstri perficiendum.

3. effectus Rolling in target P *erformance

Ut densitatem scoporum tungsten emendare et materiae scopo tungsten emendare et structuram tungsten materiae scopo emendare, media temperatura volvens materiae scopo tungsten exerceri debet sub temperatura recrystallizationis. Cum temperatura scopo blank volvens alta est, fibra blank fabricae scopo crassior est, at illa blank scopo subtilior est. Cum aestus volutus 95% supra cedat. Licet differentia fibrae structurae ex diversis grani originalis sintering vel volvente temperie removeatur, magis structura fibra homogenea intra scopo formabitur, ut superior processus rate volvens calidum, melius scopum perficiendum.


Post tempus: May-05-2022