Silicon-substructio photonicae nunc consideratur posteritatis photonicae suggestum pro communicationibus socialibus infixa. Sed evolutio pacti et humilis potentiae opticorum modulatorum provocatio manet. Hic referimus effectum electronico-opticum gigantem in ge/SiGe quantum puteos copulatum. Effectus hic spondeus fundatur in effectu anomalo quanto Stark ob claustro separato electronicorum et foraminum in ge/SiGe quantum puteis copulato. Hoc phaenomenon adhiberi potest ad signanter meliores effectus modulatores lucis comparati ad vexillum accedit quod tantum in photonicis siliconibus elaboratum est. Mutationes in refractivo indice usque ad 2.3 × 10-3 mensurati sumus ad praeiudicium intentionis 1.5 V cum congruente modulatione efficientiae VπLπ 0.046 Vcm. Haec demonstratio viam sternit ad progressionem efficientis summus velocitatis modulatoribus innixus in systematibus materialibus Ge/SiGe.
Post tempus: Iun-06-2023