실리콘 기반 포토닉스는 현재 임베디드 통신을 위한 차세대 포토닉스 플랫폼으로 간주됩니다. 그러나 소형 및 저전력 광 변조기의 개발은 여전히 과제로 남아 있습니다. 여기서 우리는 Ge/SiGe 결합 양자 우물에서 거대한 전기 광학 효과를 보고합니다. 이 유망한 효과는 결합된 Ge/SiGe 양자 우물에서 전자와 정공이 별도로 감금되어 있기 때문에 발생하는 변칙적인 양자 스타크 효과에 기반합니다. 이 현상은 지금까지 실리콘 포토닉스에서 개발된 표준 접근 방식에 비해 광 변조기의 성능을 크게 향상시키는 데 사용될 수 있습니다. 우리는 0.046 Vcm의 해당 변조 효율 VπLπ를 사용하여 1.5V의 바이어스 전압에서 최대 2.3 × 10-3의 굴절률 변화를 측정했습니다. 이번 시연은 Ge/SiGe 재료 시스템을 기반으로 한 효율적인 고속 위상 변조기 개발의 길을 열었습니다.
게시 시간: 2023년 6월 6일