ಇದಲ್ಲದೆ, ನೇಚರ್ ಜರ್ನಲ್‌ನಲ್ಲಿ ಪ್ರಕಟವಾದ "ಷಡ್ಭುಜೀಯ ಜರ್ಮೇನಿಯಮ್ ಮತ್ತು ಸಿಲಿಕಾನ್-ಜರ್ಮೇನಿಯಮ್ ಮಿಶ್ರಲೋಹಗಳಿಂದ ನೇರ ಬ್ಯಾಂಡ್‌ಗ್ಯಾಪ್ ಹೊರಸೂಸುವಿಕೆ" ಎಂಬ ಪತ್ರಿಕೆಯಲ್ಲಿ ಅವರು ತೋರಿಸಿದಂತೆ, ಅವರು ಸಮರ್ಥರಾಗಿದ್ದರು. ವಿಕಿರಣ ತರಂಗಾಂತರವು ವ್ಯಾಪಕ ಶ್ರೇಣಿಯಲ್ಲಿ ನಿರಂತರವಾಗಿ ಹೊಂದಾಣಿಕೆಯಾಗುತ್ತದೆ. ಅವರ ಪ್ರಕಾರ, ಈ ಹೊಸ ಆವಿಷ್ಕಾರಗಳು ಸಿಲಿಕಾನ್-ಜರ್ಮೇನಿಯಂ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳಲ್ಲಿ ನೇರವಾಗಿ ಫೋಟೊನಿಕ್ ಚಿಪ್‌ಗಳ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಯನ್ನು ಅನುಮತಿಸುತ್ತದೆ.
SiGe ಮಿಶ್ರಲೋಹಗಳನ್ನು ನೇರ ಬ್ಯಾಂಡ್‌ಗ್ಯಾಪ್ ಹೊರಸೂಸುವಿಕೆಗಳಾಗಿ ಪರಿವರ್ತಿಸುವ ಕೀಲಿಯು ಜರ್ಮೇನಿಯಮ್ ಮತ್ತು ಜರ್ಮೇನಿಯಮ್-ಸಿಲಿಕಾನ್ ಮಿಶ್ರಲೋಹಗಳನ್ನು ಷಡ್ಭುಜೀಯ ಲ್ಯಾಟಿಸ್ ರಚನೆಯೊಂದಿಗೆ ಪಡೆಯುವುದು. ಐಂಡ್‌ಹೋವನ್‌ನ ತಾಂತ್ರಿಕ ವಿಶ್ವವಿದ್ಯಾಲಯದ ಸಂಶೋಧಕರು, ಮ್ಯೂನಿಚ್‌ನ ತಾಂತ್ರಿಕ ವಿಶ್ವವಿದ್ಯಾಲಯ ಮತ್ತು ಜೆನಾ ಮತ್ತು ಲಿಂಜ್ ವಿಶ್ವವಿದ್ಯಾಲಯಗಳ ಸಹೋದ್ಯೋಗಿಗಳೊಂದಿಗೆ, ಷಡ್ಭುಜಾಕೃತಿಯ ಬೆಳವಣಿಗೆಗೆ ಟೆಂಪ್ಲೇಟ್‌ಗಳಾಗಿ ವಿಭಿನ್ನ ವಸ್ತುಗಳಿಂದ ಮಾಡಿದ ನ್ಯಾನೊವೈರ್‌ಗಳನ್ನು ಬಳಸಿದರು.
ನ್ಯಾನೊವೈರ್‌ಗಳು ನಂತರ ಜರ್ಮೇನಿಯಮ್-ಸಿಲಿಕಾನ್ ಶೆಲ್‌ಗೆ ಟೆಂಪ್ಲೇಟ್‌ಗಳಾಗಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತವೆ, ಅದರ ಮೇಲೆ ಆಧಾರವಾಗಿರುವ ವಸ್ತುವು ಷಡ್ಭುಜೀಯ ಸ್ಫಟಿಕ ರಚನೆಯನ್ನು ಹೇರುತ್ತದೆ. ಆರಂಭದಲ್ಲಿ, ಆದಾಗ್ಯೂ, ಈ ರಚನೆಗಳು ಬೆಳಕನ್ನು ಹೊರಸೂಸಲು ಉತ್ಸುಕರಾಗಿರಲಿಲ್ಲ. ಮ್ಯೂನಿಚ್‌ನ ಟೆಕ್ನಿಕಲ್ ಯೂನಿವರ್ಸಿಟಿಯ ವಾಲ್ಥರ್ ಶಾಟ್ಕಿ ಇನ್‌ಸ್ಟಿಟ್ಯೂಟ್‌ನಲ್ಲಿ ಸಹೋದ್ಯೋಗಿಗಳೊಂದಿಗೆ ವಿಚಾರಗಳನ್ನು ವಿನಿಮಯ ಮಾಡಿಕೊಂಡ ನಂತರ, ಅವರು ಪ್ರತಿ ಪೀಳಿಗೆಯ ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ವಿಶ್ಲೇಷಿಸಿದರು ಮತ್ತು ಅಂತಿಮವಾಗಿ ನ್ಯಾನೊವೈರ್‌ಗಳು ನಿಜವಾಗಿ ಬೆಳಕನ್ನು ಹೊರಸೂಸುವ ಹಂತಕ್ಕೆ ಉತ್ಪಾದನಾ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಉತ್ತಮಗೊಳಿಸಿದರು.
"ಅದೇ ಸಮಯದಲ್ಲಿ, ಇಂಡಿಯಮ್ ಫಾಸ್ಫೈಡ್ ಅಥವಾ ಗ್ಯಾಲಿಯಂ ಆರ್ಸೆನೈಡ್ಗೆ ಹೋಲಿಸಬಹುದಾದ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯನ್ನು ನಾವು ಸಾಧಿಸಿದ್ದೇವೆ" ಎಂದು ಐಂಡ್ಹೋವನ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ ವಿಶ್ವವಿದ್ಯಾಲಯದ ಪ್ರೊ. ಎರಿಕ್ ಬಕ್ಕರ್ಸ್ ಹೇಳುತ್ತಾರೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, ಜರ್ಮೇನಿಯಮ್-ಸಿಲಿಕಾನ್ ಮಿಶ್ರಲೋಹಗಳ ಆಧಾರದ ಮೇಲೆ ಲೇಸರ್ಗಳ ರಚನೆಯು ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ ಉತ್ಪಾದನಾ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳಲ್ಲಿ ಸಂಯೋಜಿಸಲ್ಪಡುತ್ತದೆ.
"ನಾವು ದೃಗ್ವೈಜ್ಞಾನಿಕವಾಗಿ ಆಂತರಿಕ ಮತ್ತು ಅಂತರ-ಚಿಪ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಸಂವಹನವನ್ನು ಒದಗಿಸಿದರೆ, ವೇಗವನ್ನು 1,000 ಅಂಶದಿಂದ ಹೆಚ್ಚಿಸಬಹುದು" ಎಂದು TUM ನಲ್ಲಿ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಕ್ವಾಂಟಮ್ ನ್ಯಾನೊಸಿಸ್ಟಮ್‌ಗಳ ಪ್ರಾಧ್ಯಾಪಕ ಜೊನಾಥನ್ ಫಿನ್ಲೆ ಹೇಳಿದರು. ಲೇಸರ್ ರಾಡಾರ್‌ಗಳು, ವೈದ್ಯಕೀಯ ರೋಗನಿರ್ಣಯಕ್ಕಾಗಿ ರಾಸಾಯನಿಕ ಸಂವೇದಕಗಳು ಮತ್ತು ಗಾಳಿ ಮತ್ತು ಆಹಾರದ ಗುಣಮಟ್ಟವನ್ನು ಅಳೆಯಲು ಚಿಪ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆಯನ್ನು ಗಮನಾರ್ಹವಾಗಿ ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಬಹುದು.
ನಮ್ಮ ಕಂಪನಿಯಿಂದ ಕರಗಿದ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಜರ್ಮೇನಿಯಮ್ ಮಿಶ್ರಲೋಹವು ಕಸ್ಟಮೈಸ್ ಮಾಡಿದ ಅನುಪಾತಗಳನ್ನು ಸ್ವೀಕರಿಸಬಹುದು
ಪೋಸ್ಟ್ ಸಮಯ: ಜೂನ್-21-2023